GB/T 30854-2014《LED發(fā)光用氮化鎵基外延片》
發(fā)布日期：2014-07-24，實(shí)施日期：2015-04-01。由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口，由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所起草。

GB/T 30855-2014《LED外延芯片用磷化鎵襯底》
發(fā)布日期：2014-07-24，實(shí)施日期：2015-04-01。由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口，由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、有研光電新材料有限公司、云南中科鑫圓晶體材料有限公司起草。

GB/T 30856-2014《LED外延芯片用砷化鎵襯底》
發(fā)布日期：2014-07-24，實(shí)施日期：2015-04-01。由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口，由中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所、有研光電新材料有限公司、云南中科鑫圓晶體材料有限公司起草。

GB/T 30857-2014《藍(lán)寶石襯底片厚度及厚度變化測(cè)試方法》
發(fā)布日期：2014-07-24，實(shí)施日期：2015-04-01。由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口，由協(xié)鑫光電科技控股有限公司、中國科學(xué)院上海光機(jī)所、浙江昀豐新能源科技有限公司起草。

GB/T 30858-2014《藍(lán)寶石單晶襯底拋光片》
發(fā)布日期：2014-07-24，實(shí)施日期：2015-04-01。由全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口，由協(xié)鑫光電科技控股有限公司、中國科學(xué)院上海光機(jī)所、浙江昀豐新能源科技有限公司、浙江上城科技有限公司、江蘇吉星新材料有限公司起草。