中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所（Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences, ISCAS）通過成果轉(zhuǎn)化、引入投資、建立高技術(shù)合資企業(yè)等方式，形成了與高技術(shù)產(chǎn)業(yè)結(jié)合的鏈路。創(chuàng)建12個(gè)高技術(shù)合資公司，總注冊資本9.49億元，其中研究所獲得了近1.2億元的股權(quán)。參股公司有蘇州中科半導(dǎo)體集成技術(shù)研發(fā)中心有限公司，揚(yáng)州中科半導(dǎo)體照明有限公司，江蘇中科四象激光科技有限公司，江蘇中科大港激光科技有限公司、河南仕佳光子科技有限公司，中科宏微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司等。

研究所高度重視成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化工作，與北京、天津、江蘇、廣東、河南、河北等地方政府和企業(yè)共建了二十多個(gè)聯(lián)合研發(fā)平臺(tái)，積極為企業(yè)和區(qū)域經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展服務(wù)。近五年以技術(shù)入股、專利許可、技術(shù)授權(quán)等方式轉(zhuǎn)讓專利和專有技術(shù)32項(xiàng)，技術(shù)開發(fā)合同152項(xiàng)，技術(shù)合同及轉(zhuǎn)讓收入3.9億元。

本匯編收集了半導(dǎo)體所應(yīng)用類研究成果，這些成果有的已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化實(shí)施階段，有的處于中試或?qū)嶒?yàn)室階段，對于不同階段的成果，可以采用不同的合作方式。

科研成果轉(zhuǎn)移轉(zhuǎn)化項(xiàng)目列表

一、 光電子器件及技術(shù)

1. GaN基高壓LED................... 1
2. 垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED........... 3
3. 紫外LED............................... 4
4. 高功率太赫茲半導(dǎo)體激光器......................................................... 5
5. InP基2微米波段半導(dǎo)體激光器.................................................... 6
6. 全固態(tài)納秒級紫外激光器... 7
7. 單芯片高光束質(zhì)量光子晶體激光器.............................................. 8
8. 130W皮秒光纖放大器........ 10
9. 工業(yè)級高功率傳能光纜......11
10. 高速光收發(fā)器件與模塊..... 12
11. 片上、片間光互聯(lián)技術(shù)..... 13
12. 高功率LED技術(shù)................. 14
13. 超小點(diǎn)距LED顯示技術(shù)...... 15
14. LED無基板封裝技術(shù).......... 16
二、 物聯(lián)網(wǎng)及生物技術(shù)
15. MEMS壓力傳感器............. 17
16. 高速CMOS圖像傳感器...... 18
17. 高性能數(shù)�；旌�、射頻微電子SOC集成電路設(shè)計(jì).................... 19
18. 光纖傳感器........................ 21
19. 仿生人臉識(shí)別技術(shù)............ 22
20. 具有溫度傳感功能的無源超高頻電子標(biāo)簽................................ 23
21. 電生理信號(hào)傳感器芯片及專用集成電路.................................... 24
22. DNA定量檢測設(shè)備（數(shù)字PCR設(shè)備） ....................................... 25
23. 癌癥早期診斷/心肌梗死病前檢測用生化檢測儀....................... 27

三、 半導(dǎo)體系統(tǒng)

24. 高峰值功率激光清洗設(shè)備. 28
25. 激光三維夜視成像系統(tǒng)..... 29
26. 高清激光數(shù)字夜視系統(tǒng)..... 30
27. 熱成像-主動(dòng)距離選通激光成像系統(tǒng).......................................... 31
28. 水下三維激光成像系統(tǒng)..... 32
29. 基于TDLAS技術(shù)的氣體檢測系統(tǒng)............................................... 33
30. 量子級聯(lián)激光器支撐的環(huán)境污染監(jiān)測分析系統(tǒng)........................ 34
31. 油氣勘探用光纖檢波器系統(tǒng)....................................................... 35
32. 光纖溫度壓力監(jiān)測系統(tǒng)..... 36
33. 近紅外光譜定性分析系統(tǒng). 37
34. 電力設(shè)備絕緣在線監(jiān)測系統(tǒng)....................................................... 38
35. 光電子器件與集成仿真系統(tǒng)....................................................... 39
36. 可見光通信技術(shù)................ 40
37. 遠(yuǎn)程監(jiān)測控制系統(tǒng)............ 41

四、 半導(dǎo)體材料

38. 高性能氮化鎵基電子材料. 42
39. 碳化硅材料外延關(guān)鍵技術(shù)研究................................................... 44
40. 寬禁帶半導(dǎo)體ZnO和AlN單晶生長技術(shù)..................................... 45
41. 批量生產(chǎn)的InP、GaSb、InAs開盒即用單晶片......................... 46
附件1：集成技術(shù)中心對外加工項(xiàng)目表................................... 47
附件2：照明檢測中心檢測項(xiàng)目（已獲CNAS認(rèn)證）....... 51
附件3：半導(dǎo)體所有效專利 54

1. GaN基高壓LED

項(xiàng)目名稱：GaN基高壓LED

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 □生長期√成熟期

概況：
大功率LED的設(shè)計(jì)目前主要有兩種途徑：單顆大尺寸高電流低壓LED（大電流功率芯片）和多個(gè)小功率LED在封裝基板上串并聯(lián)（小功率芯片集成）。前者存在電流擴(kuò)展不均勻，大電流下Droop現(xiàn)象嚴(yán)重等問題，大電流功率芯片在用于市電照明時(shí)電壓轉(zhuǎn)換幅度大而導(dǎo)致能耗大，變壓驅(qū)動(dòng)器的壽命也成為整個(gè)燈具壽命的短板。小功率芯片集成需要幾十甚至上百個(gè)小功率芯片在基板上打線互連，互連可靠性低，光源面積大不利于光學(xué)設(shè)計(jì)，且小功率芯片的逐個(gè)安裝排布導(dǎo)致封裝成本高居不下。
高壓LED采用多個(gè)LED單元的芯片級互連，光源集中，互連可靠，封裝成本低；無需大幅度的電壓轉(zhuǎn)換，驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡單，小電流工作散熱問題容易解決。因此，大范圍采用高壓LED是LED芯片發(fā)展和應(yīng)用的未來趨勢。

技術(shù)特點(diǎn)：
1、發(fā)光效率：136.9lm/W @20mA；
2、隨意切割：一種版圖可以提供多種電壓規(guī)格的芯片，便于應(yīng)用端靈活設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路和光通量，同時(shí)降低芯片制造成本；
3、與傳統(tǒng)的多芯片COB集成組件相比成本降低10-15%；
4、多芯片串聯(lián)，反向漏電小，反向擊穿電壓高；
5、與傳統(tǒng)1W@350mA大功率芯片相比，光輸出提高約11%，電流擴(kuò)展更均勻；
6、電流小，散熱要求低，可靠性高，1000小時(shí)光衰小于2%；
7、電壓高，幾個(gè)高壓LED串聯(lián)后可直接達(dá)到市電電壓水平，變壓損耗小，驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡單。

專利情況：已申請專利國內(nèi)發(fā)明專利20項(xiàng)，授權(quán)2項(xiàng)。

市場分析：高壓LED是多個(gè)LED單元的芯片級串聯(lián)，互連比多個(gè)小功率管芯打線互連更為可靠；且LED單元之間間距很小，光線集中，便于光學(xué)設(shè)計(jì)，可用于高光密度照明，如路燈、廣場照明和舞臺(tái)聚光照明等。幾個(gè)高壓LED串聯(lián)后可直接達(dá)到市電電壓水平，變壓能耗小，驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)簡單，可用于各種市電照明場合，例如室內(nèi)照明、園區(qū)和工作場所照明等；高壓LED能減小驅(qū)動(dòng)電路、光學(xué)設(shè)計(jì)和散熱部分的體積，因此可采用多種燈具形式和適用多種安裝場合，可以設(shè)計(jì)成筒燈、射燈、球泡燈，也可以采用懸掛、鑲嵌等多種安裝方式。

合作方式：知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可；技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)；

產(chǎn)業(yè)化所需條件：
對于芯片制造企業(yè)來說需要新建半導(dǎo)體工藝廠房，購置半導(dǎo)體工藝設(shè)備，預(yù)計(jì)5000萬元的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)費(fèi)。

2. 垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED

項(xiàng)目名稱：垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED項(xiàng)目

成熟階段：□孵化期 □生長期√成熟期

概況：
垂直結(jié)構(gòu)GaN基LED是目前半導(dǎo)體照明芯片的研究熱點(diǎn)和未來可能應(yīng)用于通用照明的主流芯片結(jié)構(gòu)。與傳統(tǒng)正裝、倒裝結(jié)構(gòu)比較，垂直結(jié)構(gòu)通過熱壓鍵合、激光剝離（LLO）等工藝，將GaN外延結(jié)構(gòu)從藍(lán)寶石轉(zhuǎn)移到Cu、Si等具有良好電、熱傳導(dǎo)特性的襯底材料上，器件電極上下垂直分布，從而徹底解決了正裝、倒裝結(jié)構(gòu)GaN基LED器件中因?yàn)殡姌O平面分布、電流側(cè)向注入導(dǎo)致的諸如散熱，電流分布不均勻、可靠性等一系列問題。因此，垂直結(jié)構(gòu)也被稱為是繼正裝、倒裝之后的第三代GaN基LED器件結(jié)構(gòu)，很有可能取代現(xiàn)有的器件結(jié)構(gòu)而成為GaN基LED技術(shù)主流。

技術(shù)特點(diǎn)：
與正裝LED相比，垂直結(jié)構(gòu)LED技術(shù)有兩方面優(yōu)勢：一方面其等尺寸的單顆芯片工作電流密度可以高出至少一倍，相當(dāng)于一顆垂直結(jié)構(gòu)LED芯片可以抵兩顆正裝LED芯片；另一方面，在垂直結(jié)構(gòu)LED芯片的工藝流程中，其剝離下來的藍(lán)寶石襯底可以回收后重復(fù)利用多次，藍(lán)寶石襯底單芯片和2英寸整片剝離成品率大于95%。目前，垂直結(jié)構(gòu)LED發(fā)光效率可以達(dá)到121.57m/W @350mA。

專利情況：已申請國內(nèi)發(fā)明專利21項(xiàng)，授權(quán)7項(xiàng)。

市場分析：
隨著技術(shù)的不段進(jìn)步，近幾年最受人們關(guān)注的是固態(tài)通用照明領(lǐng)域的高亮度大功率LED應(yīng)用，然而這種應(yīng)用卻受到藍(lán)寶石異質(zhì)襯底所帶來的一系列技術(shù)問題的限制。除去了藍(lán)寶石襯底的垂直結(jié)構(gòu)LED芯片具有優(yōu)良的光電熱方面的性能，能滿足固態(tài)通用照明對其性能的要求，采用垂直結(jié)構(gòu)LED方案是固態(tài)通用照明技術(shù)發(fā)展的必然趨勢。

合作方式：知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可；技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)；

產(chǎn)業(yè)化所需條件：對于芯片制造企業(yè)來說需要新建半導(dǎo)體工藝廠房，購置半導(dǎo)體工藝設(shè)備，預(yù)計(jì)5000萬元的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)費(fèi)。

3. 紫外LED

項(xiàng)目名稱：紫外LED

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 √生長期□成熟期

概況：
與GaN基藍(lán)光LED相比，紫外LED尤其是波長短于300nm 的深紫外LED 的研發(fā)更加困難。紫外LED在生化探測、殺菌消毒、無線通訊等領(lǐng)域都有重大應(yīng)用價(jià)值，因此，盡管紫外LED的研究充滿挑戰(zhàn)性，但是它依然吸引了美、日等國家和地區(qū)的眾多研究機(jī)構(gòu)。

技術(shù)特點(diǎn)：
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所突破了紫外LED的專用襯底、外延材料、芯片器件及專用設(shè)備的全套核心制備技術(shù)，掌握了250-400nm波段的紫外LED制備技術(shù)，尤其在波長300nm以下的深紫外LED方面掌握獨(dú)特的國際先進(jìn)技術(shù)，率先研制出國內(nèi)首支毫瓦級深紫外LED器件，目前深紫外LED單管芯輸出功率可達(dá)到超過4 mW，達(dá)到了可實(shí)用化水平。相關(guān)核心技術(shù)在照明中心的產(chǎn)業(yè)化設(shè)備平臺(tái)上進(jìn)行了充分驗(yàn)證，具備了產(chǎn)業(yè)化轉(zhuǎn)移的能力和條件。

專利情況：
目前國際上在深紫外領(lǐng)域的專利布局還并未充分展開，主要是氮化鎵藍(lán)光LED的專利技術(shù)延伸，現(xiàn)有紫外技術(shù)專利以美國、日本居多，中國科學(xué)院半導(dǎo)體照明研發(fā)中心在紫外LED的材料和器件方面已申請了12項(xiàng)關(guān)鍵專利，預(yù)計(jì)近一兩年內(nèi)將會(huì)進(jìn)一步申請10多項(xiàng)核心專利，掌握專利布局主動(dòng)權(quán)。

市場分析：
深紫外LED在殺菌消毒、醫(yī)療衛(wèi)生、生物探測、安全通訊、白光照明等諸多領(lǐng)域有著廣闊的市場前景，潛在市場規(guī)�？蛇_(dá)數(shù)十億美元。相比于目前傳統(tǒng)紫外光源汞燈而言，不存在汞污染的環(huán)境問題，更加符合當(dāng)今綠色環(huán)保的產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，而且具備小巧輕便、低壓低耗、易于調(diào)諧等優(yōu)點(diǎn)。目前在殺菌消毒方面已有相關(guān)產(chǎn)品和市場應(yīng)用，在醫(yī)療、生物、環(huán)境等領(lǐng)域的應(yīng)用目前正在拓展中。

合作方式：知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可；技術(shù)轉(zhuǎn)讓；技術(shù)開發(fā)

產(chǎn)業(yè)化所需條件：需要新建半導(dǎo)體外延和芯片工藝廠房，預(yù)計(jì)5000萬元的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)費(fèi)。五年專利許可費(fèi)用2000萬元。技術(shù)轉(zhuǎn)移周期6個(gè)月。

4. 高功率太赫茲半導(dǎo)體激光器

項(xiàng)目名稱：高功率太赫茲半導(dǎo)體激光器

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 √生長期□成熟期

概況：
太赫茲（THz）波介于中紅外和微波之間，是一種安全的具有非離化特征的電磁波。它能夠穿透大多數(shù)非導(dǎo)電材料同時(shí)又是許多分子光學(xué)吸收的特征指紋光譜范圍。它的光子能量低（1 THz對應(yīng)的能量大約4 meV），穿透生物組織時(shí)不會(huì)產(chǎn)生有害的光電離和破壞，在應(yīng)用到對生物組織的活體檢驗(yàn)時(shí)，比X光更具優(yōu)勢。它的波長比微波短，能夠被用于更高分辨率成像。THz激光光源在分子指紋探測、診斷成像、安全反恐、寬帶通訊、天文研究等方面具有重大的科學(xué)價(jià)值和廣闊的應(yīng)用前景。中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所半導(dǎo)體材料科學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室經(jīng)過多年的基礎(chǔ)研究和技術(shù)開發(fā)，目前形成系列太赫茲量子級聯(lián)激光器產(chǎn)品。

技術(shù)特點(diǎn)：
具有結(jié)構(gòu)緊湊、功率高、易調(diào)諧等特點(diǎn)。
頻率覆蓋2.9~3.3 THz，工作溫度10~110 K，功率5~500mW。

專利情況：
中科院半導(dǎo)體所在THz量子級聯(lián)激光器的應(yīng)有基礎(chǔ)研究方面擁有7項(xiàng)授權(quán)專利，從材料設(shè)計(jì)、材料生長、器件研制等各個(gè)環(huán)節(jié)，擁有完備的技術(shù)鏈。

市場分析及應(yīng)用情況：
目前國際上已開始研發(fā)基于THz量子級聯(lián)激光器的無線通訊、太赫茲成像、太赫茲雷達(dá)等技術(shù)，廣泛應(yīng)用于軍事和民事目的，如：自由空間通信、安全檢查、藥品監(jiān)測、郵件包裹中的爆炸物遠(yuǎn)程化學(xué)指紋傳感、人體非破壞性癌癥檢查等。我國在THz光源方面已取得突破，基于THz量子級聯(lián)激光器的應(yīng)用產(chǎn)品開發(fā)市場前景廣闊。

合作方式：可采用技術(shù)開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)方式。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：企業(yè)提供500平米的超凈工藝線廠房、300-500平米的技術(shù)開發(fā)廠房、材料生長設(shè)備、工藝設(shè)備。

5. InP基2微米波段半導(dǎo)體激光器

項(xiàng)目名稱：InP基2微米波段半導(dǎo)體激光器

項(xiàng)目成熟階段： □孵化期 √生長期□成熟期

概況：
由于覆蓋水、二氧化碳、氮氧化合物、一氧化碳等多種物質(zhì)的吸收窗口，工作于2微米波段的半導(dǎo)體激光器成為可調(diào)諧二極管激光吸收光譜（TDLAS：Tunable Diode Laser Absorption Spectroscopy)技術(shù)的核心部件而在痕量水探測、溫室氣體及工業(yè)尾氣排放監(jiān)控等領(lǐng)域具有重要應(yīng)用價(jià)值。同時(shí)，2微米波段激光能被生物組織液強(qiáng)烈的吸收，其在機(jī)體組織中的傳播厚度低至100微米量級，非常適合于無創(chuàng)傷醫(yī)學(xué)手術(shù)的應(yīng)用。半導(dǎo)體激光器由于其具有波長選擇自由度高、調(diào)諧范圍大、單色性好、能脈沖工作等眾多優(yōu)勢而作為2微米波段大功率固體激光器的核心種子源使用。此外，2微米激光在塑料焊接，打標(biāo)、高精度風(fēng)速計(jì)制造、中紅外固體激光器泵浦、自由空間通信等領(lǐng)域同樣具有巨大的應(yīng)用價(jià)值。

技術(shù)特點(diǎn)：
目前，2微米波段激光器有源區(qū)材料主要采用GaSb基量子阱和InP基量子阱結(jié)構(gòu)。GaSb基量子阱材料因其生長結(jié)構(gòu)復(fù)雜，含Sb的四元甚至五元系化合物生長及界面難以控制，特別是采用適合大規(guī)模生產(chǎn)應(yīng)用的金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積法（MOCVD）更難實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量多元銻化物的生長。相比較，InP基In(Ga)As量子阱在材料制備及器件工藝制作方面具有諸多優(yōu)勢。除了具有高質(zhì)量，低成本的襯底材料，InP基激光器因其兼容傳統(tǒng)通訊用激光器的成熟工藝，且易與其它器件實(shí)現(xiàn)集成等優(yōu)勢而具有更好的工業(yè)應(yīng)用前景。我們擁有采用MOCVD制備大晶格失配In(Ga)As/InP量子阱外延芯片、半導(dǎo)體激光器工藝制作以及器件測試封裝的全套技術(shù)。我們制備的激光器外延芯片波長可精確調(diào)控，其面內(nèi)波長不均勻性低至±3nm，相應(yīng)的激光器件性能指達(dá)到國際先進(jìn)水平。

專利情況：申請4項(xiàng)專利授權(quán)1項(xiàng)

市場需求及應(yīng)用情況：
目前市場對2微米激光器的應(yīng)用需求主要集中在以下幾個(gè)方面：1、CO2、CO、H2O及N2O等痕量氣體探測；2、2微米波段大功率固體激光器種子源；3、2.1微米摻鈥光纖激光器泵浦源。
目前由于該波段半導(dǎo)體激光器主要由少數(shù)幾家國外公司壟斷，激光器單價(jià)較高，平均介于RMB2-3萬元/只。經(jīng)前期多方走訪調(diào)研，目前用于氣體探測的2微米半導(dǎo)體激光器年需求接近3000只，并成快速上漲的態(tài)勢。特別是，近年來隨著光纖激光器技術(shù)的不斷成熟，2微米波段的大功率光纖激光器將迎來較大的增長，這將極大的帶動(dòng)半導(dǎo)體激光器的需求上漲。

合作方式：技術(shù)開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：產(chǎn)業(yè)化需要芯片外延MOCVD及測試設(shè)備、半導(dǎo)體激光器制備工藝線及激光器封裝線。

6. 全固態(tài)納秒級紫外激光器

項(xiàng)目名稱：全固態(tài)納秒級紫外激光器

項(xiàng)目成熟階段： □孵化期 □生長期√成熟期

概況：
紫外激光器在激光加工方面體現(xiàn)其獨(dú)特的優(yōu)勢：紫外激光器的波長短，聚焦小，能實(shí)現(xiàn)精細(xì)加工；紫外激光器進(jìn)行激光加工時(shí)直接破壞材料的化學(xué)鍵，是“ 冷”處理過程，熱影響區(qū)�。捍蠖鄶�(shù)材料能有效地吸收紫外光，可加工許多紅外和可見光激光器加工不了的材料。全固態(tài)紫外激光器具有體積小、效率高、重復(fù)頻率高，無需更換氣體、無需掩模、易維護(hù)等優(yōu)點(diǎn)。因此它在生物工程、材料制備、全光光學(xué)器件制作，特別是集成電路板及半導(dǎo)體工業(yè)等激光加工領(lǐng)域獲得了廣泛的應(yīng)用。
目前紫外激光器的發(fā)展非常迅速，瓦級功率以上高重頻全固態(tài)激光器不斷應(yīng)用于加工，國內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)和公司不斷向更高功率（數(shù)十瓦級）、更高重頻（幾十甚至幾百kHz）方向發(fā)展。目前我們已經(jīng)研制成功了5W 、50kHz的紫外355nm激光器，脈寬25ns。已經(jīng)做成樣機(jī)，性能穩(wěn)定，用于LED藍(lán)寶石晶圓裂片劃線，劃線深度達(dá)到200μm，線寬小于10μm，劃痕光滑均勻，幾乎無熱影響區(qū)。

技術(shù)特點(diǎn)：
通過高效率端面泵浦結(jié)構(gòu)方式得到基模紅外1064nm激光，再經(jīng)過多級放大結(jié)構(gòu)，得到高功率的紅外高光束質(zhì)量基頻光，再通過高效率變頻技術(shù)，最后得到5W、50kHz、25ns脈沖紫外355nm激光。光束質(zhì)量因子M2<1.3，功率長期穩(wěn)定性<±2%。內(nèi)部光學(xué)結(jié)構(gòu)采用紫外膠光固化粘接，結(jié)構(gòu)小巧牢靠，對環(huán)境適應(yīng)程度高。通過紫外顯微物鏡的聚焦，聚焦光斑直徑在μm級別，加工尺寸小于10μm。通過紫外激光器的開發(fā)，相應(yīng)的也取得了更高功率的紅外和綠光高光束質(zhì)量激光技術(shù)。

專利情況：目前我們已申請專利8項(xiàng)。

市場分析：
紫外355nm激光器目前國際市場價(jià)格約為2萬美元/W，中大功率全固態(tài)紫外激光器市場均被國外廠商占據(jù)。據(jù)行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)， 2010年我國全固態(tài)紫外激光器市場銷售額達(dá)到5億元人民幣，比2009年增長了25%。主要應(yīng)用于打孔、切割、劃線和打標(biāo)。以激光劃片機(jī)為例，按目前市場需求量估算，一般傳統(tǒng)激光劃片機(jī)銷量為100臺(tái)/年，其中60%將被紫外全固態(tài)激光器所替代；激光打標(biāo)機(jī)國內(nèi)年需求量約4000臺(tái)，其中全固態(tài)紫外激光器將取代30%的市場份額。隨著紫外技術(shù)的進(jìn)步以及成本的降低，越來越多的行業(yè)開始使用紫外激光器，比如半導(dǎo)體照明、太陽能電池及集成電路行業(yè)，全固態(tài)紫外激光器正處于替代其它加工方式的重要發(fā)展階段，市場增長迅速。

合作方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓

產(chǎn)業(yè)化所需條件：需要建造千級超凈間約100平米，設(shè)備調(diào)試廠房約500平米；投入資金約500萬元。

7. 單芯片高光束質(zhì)量光子晶體激光器

項(xiàng)目名稱：單芯片高光束質(zhì)量光子晶體激光器

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 √生長期□成熟期

概況：
高功率、高光束質(zhì)量、高效率是未來半導(dǎo)體激光器發(fā)展方向。半導(dǎo)體所是長期從事光子晶體激光器研究，目前在傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器中引入光子晶體結(jié)構(gòu)，利用光子晶體調(diào)控機(jī)制，將單芯片激光輸出的垂直和水平發(fā)散角從40度×10度降到6.5度×7.1度以下，從芯片層次改善光束質(zhì)量，簡化整形，且與批量生產(chǎn)技術(shù)兼容。該技術(shù)可廣泛用激光引信、激光測距、激光制導(dǎo)、光纖激光器和固態(tài)激光器的泵浦光源，可推動(dòng)半導(dǎo)體激光器在諸多領(lǐng)域的直接應(yīng)用，具有重大應(yīng)用前景和市場潛力。

技術(shù)特點(diǎn)：
我們研制的激光器主要特點(diǎn)如下：波長范圍905-1064nm、水平、垂直發(fā)散角<10度；直流輸出功率>5W;窄脈沖輸出功率>20W;光子晶體激光器模塊窄脈沖輸出功率>130W；并與傳統(tǒng)半導(dǎo)體激光器工藝相兼容。此外還開展了808nm、980nm和1064nm等波段光子晶體激光器研究�！跋冗M(jìn)半導(dǎo)體光子晶體激光器技術(shù)研究”獲得2013年度北京市科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)二等獎(jiǎng)，光子晶體高功率高亮度激光器被評為“2014中國光學(xué)重要成果”。

專利情況：申請發(fā)明專利21項(xiàng),其中授權(quán)專利9項(xiàng)，預(yù)計(jì)一兩年內(nèi)還會(huì)申請10多項(xiàng)核心專利。

市場需求及應(yīng)用情況：半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用范圍覆蓋了整個(gè)光電子學(xué)領(lǐng)域，已成為當(dāng)今光電子科學(xué)的核心技術(shù)。半導(dǎo)體國防領(lǐng)域、自動(dòng)控制、檢測儀器等方面獲得了廣泛的應(yīng)用，形成了廣闊的市場。美國市場研究公司Strategies Unlimited發(fā)布其年度市場研究報(bào)告，預(yù)計(jì)全球激光器市場的年度總收入，到2017年將有望超過110億美元。半導(dǎo)體激光器穩(wěn)占全球激光器市場一半，將超過50億美元市場。
目前國際上直接工業(yè)用大功率半導(dǎo)體激光器在輸出功率5000W級別已超過燈抽運(yùn)固體激光器的光束質(zhì)量，在1000W級別已超過全固態(tài)激光器的光束質(zhì)量。隨著化合物半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，工業(yè)用大功率半導(dǎo)體激光器的輸出功率和光束質(zhì)量將進(jìn)一步提高，將進(jìn)一步擴(kuò)展其工業(yè)應(yīng)用范圍。
中科院半導(dǎo)體所在高光束質(zhì)量光子晶體激光器領(lǐng)域有十余年的科研積累，該高光束質(zhì)量光子晶體激光器水平在國內(nèi)處全面領(lǐng)先，并掌握從結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、材料生長、工藝制備、封裝測試等方面全部自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，特別是從芯片層次改善半導(dǎo)體激光器光束質(zhì)量，明顯技術(shù)優(yōu)勢，推動(dòng)半導(dǎo)體激光器芯片產(chǎn)業(yè)化，填補(bǔ)國內(nèi)關(guān)鍵產(chǎn)業(yè)空白，打破半導(dǎo)體激光芯片長期壟斷地位。

合作方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：

為建成月產(chǎn)50萬瓦的高光束質(zhì)量光子晶體半導(dǎo)體激光器的生產(chǎn)能力，企業(yè)需要設(shè)備投資6500萬元，每年的運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)為2000萬元。
金屬有機(jī)物化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)（MOCVD）：設(shè)備價(jià)格約1000萬元/臺(tái)，每臺(tái)需要60m2超凈室，另需配套液氮?dú)夥俊?BR>完整的工藝加工生產(chǎn)線：激光器材料測試分析、清洗，光刻、刻蝕、濺射、蒸發(fā)、減薄、鍍膜、合金、解理等工藝過程需要一條完整工藝線，設(shè)備總價(jià)值越5000萬元，需要千級至萬級超凈工藝間約1000 m2。
器件封裝和測試系統(tǒng)：激光器管芯封裝、測試。及老化系統(tǒng)，共需要500萬元，廠房面積1200m2。

8. 130W皮秒光纖放大器

項(xiàng)目名稱：130W皮秒光纖放大器

項(xiàng)目成熟階段： □孵化期 □生長期√成熟期

概況：
以低功率固體被動(dòng)鎖模激光器作為種子源，經(jīng)過主振蕩功率放大的皮秒高功率光纖放大器，具備線寬窄、峰值功率高、散熱性好、光光轉(zhuǎn)換效率高、光束質(zhì)量好、體積小、易于集成等優(yōu)點(diǎn)，因此在激光精細(xì)加工、超快光學(xué)、非線性光頻率轉(zhuǎn)換、軍事和國防安全等領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用。然而在高功率脈沖激光輸出時(shí)，光纖放大器受限于光纖纖芯內(nèi)部的非線性效應(yīng)，如受激拉曼散射、自相位調(diào)制、放大自發(fā)輻射以及摻雜纖芯自身的損傷閾值低等，基于雙包層光纖的單級光纖放大器很難實(shí)現(xiàn)百瓦級以上皮秒輸出。

技術(shù)特點(diǎn)：
用固體皮秒激光器作為種子源經(jīng)過單級光纖放大器，實(shí)現(xiàn)了130W的皮秒脈沖激光輸出。種子源是一個(gè)可飽和吸收體被動(dòng)鎖模固體激光器，其輸出平均功率為2W，波長為1064nm, 線寬為0.1nm, 重復(fù)頻率為74MHz, 脈寬為30ps. 該固體皮秒激光器由于線寬窄、輸出平均功率高、光束質(zhì)量好,是單級高功率光纖放大器的理想種子源。種子光經(jīng)過隔離器后，準(zhǔn)直聚焦耦合入4m的30/250μm雙包層光纖中。當(dāng)耦合入內(nèi)包層抽運(yùn)功率為176W 時(shí),獲得130W 的皮秒脈沖激光輸出，光光轉(zhuǎn)換效率為76％. 光譜寬度為0.4nm， 峰值功率為45.8KW。

專利情況：已申請國內(nèi)發(fā)明專利10項(xiàng)，授權(quán)5項(xiàng)。

市場分析：
隨著技術(shù)的不段進(jìn)步，近幾年最受人們關(guān)注的是高功率的皮秒脈沖激光器。超過百瓦的皮秒光纖激光器在工業(yè)加工等領(lǐng)域應(yīng)用很廣，但是全光纖的皮秒激光器因?yàn)榻Y(jié)構(gòu)復(fù)雜、線寬較寬、非線性效應(yīng)嚴(yán)重等因素而受到限制。采用固體激光器與單級光纖放大的結(jié)構(gòu)成功解決上述問題。高功率下，運(yùn)行及其穩(wěn)定，成為高功率皮秒光纖放大器的發(fā)展趨勢。

合作方式：知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可；技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)；

產(chǎn)業(yè)化所需條件：需要新建光纖激光器工藝廠房，購置工藝設(shè)備，預(yù)計(jì)1000萬元的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)費(fèi)。

9. 工業(yè)級高功率傳能光纜

項(xiàng)目名稱：工業(yè)級高功率傳能光纜

項(xiàng)目成熟階段： □孵化期 □生長期√成熟期

概況：
我國高功率激光器及其工業(yè)裝備已經(jīng)進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化的高速發(fā)展期，并帶動(dòng)了國內(nèi)高技術(shù)加工的迅速發(fā)展。高功率激光器配備高功率傳能光纖組件，通過光纖組件進(jìn)行傳輸，可以使高功率激光變得更加靈活、可控，實(shí)現(xiàn)柔性化三維加工，最大化高功率激光在工業(yè)生產(chǎn)中的作用及應(yīng)用范圍，推動(dòng)了我國高精尖裝備制造業(yè)的迅猛發(fā)展。高功率傳能光纖組件作為其中核心器件之一，憑借其重要的戰(zhàn)略價(jià)值和巨大的潛在市場，一直是國內(nèi)外激光器及相關(guān)器件生產(chǎn)廠商關(guān)注焦點(diǎn)之一。

技術(shù)特點(diǎn)：
高功率傳能光纜主體結(jié)構(gòu)為傳輸光用的光纖。普通裸光纖直接封裝成光纖組件很難用于高功率激光傳輸（500W以上），更不能在工業(yè)環(huán)境長時(shí)間穩(wěn)定工作。我單位采用自主搭建的光纖大直徑端帽熔接設(shè)備，自主研究熔接工藝，解決高功率傳能光纖組件制作的核心技術(shù)問題—光纖大直徑端帽熔接，最終研制成國產(chǎn)工業(yè)級高功率傳能光纖組件。通過1kW連續(xù)激光功率的傳輸測試，耦合效率大于95%。

專利情況：已申請國內(nèi)發(fā)明專利3項(xiàng)。

市場需求及應(yīng)用情況：該技術(shù)主要應(yīng)用于高功率激光器、激光焊接裝備、激光加工裝備。項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化后，預(yù)計(jì)產(chǎn)值在3000萬元左右。

合作方式：技術(shù)開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)均可。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：該技術(shù)已成熟，需投資進(jìn)行規(guī)模化量產(chǎn)及市場推廣，投資規(guī)模預(yù)計(jì)500萬。

10. 高速光收發(fā)器件與模塊

項(xiàng)目名稱： 高速光收發(fā)器件與模塊

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 □生長期√成熟期

概況：
中科院半導(dǎo)體研究所歷經(jīng)十五年對高速激光器及模塊進(jìn)行了深入的研究，突破了高速激光器制備、封裝、測試等關(guān)鍵技術(shù)，打破了國外壟斷。相關(guān)收發(fā)模塊產(chǎn)品是雷達(dá)組網(wǎng)傳輸，特殊環(huán)境下信號(hào)傳輸與監(jiān)測、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)基站間互連，數(shù)據(jù)中心間互連的關(guān)鍵技術(shù)。該發(fā)明技術(shù)獲得了2013年國家技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)。

技術(shù)特點(diǎn)：
帶寬寬，可以覆蓋Ku以下所有頻段，并向Ka頻段發(fā)展；線性度高，模擬通信不失真；動(dòng)態(tài)范圍大，激光輸出功率高，相對強(qiáng)度噪聲低。可靠性高，全金屬化耦合焊接，提高了可靠性和壽命。

專利情況：
目前已經(jīng)獲得相關(guān)國家發(fā)明專利40余項(xiàng)，涉及產(chǎn)品的模塊化封裝、制備、測試和系統(tǒng)應(yīng)用。

市場分析及應(yīng)用情況：
隨著大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來，信息容量以每10年增加100倍的速率增長。無論是通信還是傳感，都需要高速的信息獲取、傳輸與處理，而支撐該類系統(tǒng)的核心技術(shù)掌握在外國人手中。我國完全依賴進(jìn)口，2012年，我國進(jìn)口的核心高端芯片為1920億美元，比進(jìn)口的石油還多（1200億美元）。因此，研發(fā)、生產(chǎn)高端信息類芯片、器件、模塊與系統(tǒng)是打破國外壟斷，提升我國在信息領(lǐng)域核心競爭力的關(guān)鍵，是國家的戰(zhàn)略需求。
本項(xiàng)目產(chǎn)品主要應(yīng)用領(lǐng)域是通信，目前國內(nèi)市場需求大于300億人民幣。隨著國家寬帶戰(zhàn)略的實(shí)施和物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，未來5-10年將以大于30%/年的速度遞增。到2020年將大于1000億元人民幣。目前國內(nèi)最大的光電子器件、模塊廠商是“武漢光迅科技股份有限公司”，2013年的市場銷售額達(dá)到近30億元人民幣，此外還有海信（22億），華美（8億），華工正源（8億）等。由于未掌握核心關(guān)鍵技術(shù)，這些公司所推出的產(chǎn)品主要是量大面廣的低端低利潤產(chǎn)品。本項(xiàng)目將依賴中科院多年來的技術(shù)積累，以高端高利潤產(chǎn)品為突破口，不斷推動(dòng)需求發(fā)展，對國內(nèi)企業(yè)發(fā)展起到科技引領(lǐng)和補(bǔ)充作用。打破國內(nèi)高端光電子產(chǎn)品一直被國外企業(yè)所壟斷的局面。此外，本項(xiàng)目發(fā)展的高端光電子器件還可廣泛可應(yīng)用于雷達(dá)、電子戰(zhàn)等國防領(lǐng)域，對于提升我國國家安全具有重要意義。

合作方式：技術(shù)轉(zhuǎn)讓。

11. 片上、片間光互聯(lián)技術(shù)

項(xiàng)目名稱：片上、片間光互聯(lián)技術(shù)

項(xiàng)目成熟階段： √孵化期 □生長期□成熟期

概況：
經(jīng)過半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展，硅材料的優(yōu)異特性已在微電子領(lǐng)域中發(fā)揮得淋漓盡致，創(chuàng)造了以IT為代表的新經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)持續(xù)高速發(fā)展的奇跡。但是，隨著COMS工藝特征尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的電互聯(lián)面臨著量子限制和高能耗等問題，片上光互聯(lián)技術(shù)是延伸摩爾定律的一個(gè)重要途徑。另外，作為高性能計(jì)算機(jī)的心臟－中央處理器（CPU）的運(yùn)算速度越來越快，而系統(tǒng)內(nèi)高速率的數(shù)據(jù)通信已成為限制其性能發(fā)揮的主要瓶頸。利用光子作為片上，片間單元的傳輸載體，相比與電互聯(lián)具有更高的傳輸速度，并且可以有效降低信息的傳輸能耗，具有重要的研究意義和經(jīng)濟(jì)價(jià)值。光調(diào)制器、激光器、探測器、波導(dǎo)以及波分復(fù)用解復(fù)用器件是光互聯(lián)技術(shù)中的重要單元器件，針對這些器件和光互聯(lián)技術(shù)要求的微鈉光電子器件及其集成技術(shù)半導(dǎo)體所都有很好的工作積累。

技術(shù)特點(diǎn)：
基于硅基材料的光互聯(lián)技術(shù)具體有高速高密度、受電磁干擾小、低功耗，兼容于CMOS工藝等特點(diǎn)。
1、在激光器研制方面，擁有基于InP基的微鈉尺度微腔激光器和光子晶體激光器以及基于硅基的光發(fā)射器件；
2、在光調(diào)制器研制方面擁有基于硅基的光調(diào)制器；
3、在探測器方面，擁有通過鍵合方式集成在Si上的InP基探測器和直接在硅上外延鍺或GeSn的探測器等；
4、擁有基于硅基的光波導(dǎo)器件、硅基波分復(fù)用解復(fù)用器件以及可見光衰減器。
專利情況：在光互聯(lián)技術(shù)方面半導(dǎo)體所有30余項(xiàng)專利，涵蓋了從激光器、光調(diào)制器、波導(dǎo)、探測器、波分復(fù)用解復(fù)用等方面，擁有較完備的技術(shù)鏈。
市場應(yīng)用：片上、片間光互聯(lián)技術(shù)主要應(yīng)用于高性能電子芯片、超級計(jì)算機(jī)以及大型的數(shù)據(jù)中心等。

12. 高功率LED技術(shù)

項(xiàng)目名稱：高功率LED技術(shù)

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 √生長期□成熟期

概況：
300W以上的高功率光源是城市照明的重要組成部分，廣泛應(yīng)用于立交橋路燈、體育場館照明、工礦場地照明等場合，傳統(tǒng)的高功率光源常采用高壓鈉燈，高壓鈉燈整體上光效低的缺點(diǎn)造成了能源的巨大浪費(fèi)，高功率LED光源以其高效、節(jié)能、壽命長、顯色指數(shù)高、環(huán)保、體積小等優(yōu)勢將成為城市照明高功率光源領(lǐng)域的后起之秀，對城市照明節(jié)能減排具有十分重要的意義。LED路燈正逐步取代傳統(tǒng)高壓鈉燈，成為城市道路照明的新寵。
但是目前的照明應(yīng)用一般在100W左右，替代1000-2000W鈉燈的特殊照明領(lǐng)域，受LED光源封裝、散熱、壽命等技術(shù)門檻所限，高功率LED光源還沒有有效的進(jìn)入該領(lǐng)域，因此本項(xiàng)目技術(shù)的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，將促進(jìn)高功率LED光源在特殊照明領(lǐng)域的應(yīng)用，推動(dòng)我國照明市場節(jié)能減排事業(yè)的發(fā)展。目前市場上還沒有可靠的300W以上的LED光源模塊，只能使用多個(gè)低功率的光源模塊拼接在一起，這就造成了光源有效出光面積大，不利于二次配光的設(shè)計(jì)，給實(shí)際應(yīng)用帶來困難。因此，研究一款散熱好壽命長、有效出光面積小，光功率密度高，二次光學(xué)設(shè)計(jì)合理、出光效率高、重量輕、低成本的模塊化封裝高功率密度LED光源具有實(shí)際意義。

技術(shù)特點(diǎn)：
本項(xiàng)目針對300W以上高功率LED光源模組進(jìn)行封裝和散熱一體化設(shè)計(jì)和開發(fā)，采用大功率倒裝LED芯片，通過獨(dú)特的共晶焊工藝以及COB封裝工藝開發(fā)出高功率LED發(fā)光陣列。開發(fā)出LED發(fā)光陣列與散熱器之間的低熱阻一體化封裝工藝。最終實(shí)現(xiàn)高功率LED光源功率密度>0.2 W/mm2、光源光效達(dá)到100lm/W，光通量最大輸出30000lm、壽命超過3萬小時(shí)。
本項(xiàng)目包括高功率LED陣列固晶技術(shù)的開發(fā)、高功率LED陣列封裝工藝開發(fā)以及高功率LED光源封裝和散熱一體化技術(shù)的開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。

專利情況：已申請6項(xiàng)專利

市場分析：
在道路照明領(lǐng)域，用于立交橋、寬體道路的高功率路燈和高桿燈等都需要高功率的LED光源才能進(jìn)行替代。以高桿燈為例，目前國內(nèi)的潛在市場估計(jì)約有90億元規(guī)模，年度更新規(guī)模在產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期將達(dá)到15億元以上，同時(shí)隨著我國城鎮(zhèn)化建設(shè)的進(jìn)行，農(nóng)村道路的改造和升級、新建廣場照明設(shè)施的更新?lián)Q代，潛在市場容量將至少與目前的規(guī)模相當(dāng)�？梢妰H就道路照明用高桿燈的需求就是非常旺盛。在工礦場站領(lǐng)域，高功率LED光源模組也有很大的市場潛力。目前正在使用的鈉燈、金鹵燈等燈具都有一定的比例要進(jìn)行替換。根據(jù)我們從幾家室外燈具廠家了解的情況看，目前市場直接提出需求的迫切需要的高功率LED光源進(jìn)行替代的功率燈具就在1萬臺(tái)左右，對光源模組的市場容量即達(dá)到5000萬元。在體育場館領(lǐng)域，根據(jù)我們的調(diào)研結(jié)果，目前除了傳統(tǒng)的大容量體育場館外，我國中小學(xué)室外操場正在進(jìn)行大規(guī)模的更新改造，迫切的需求新型光源替代傳統(tǒng)的色度不足、可靠性差的燈具。這也將是項(xiàng)目產(chǎn)品的一個(gè)很大的應(yīng)用市場。

合作方式：知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可；技術(shù)服務(wù)；對于致力于封裝結(jié)構(gòu)改善的LED封裝企業(yè)可以考慮技術(shù)入股。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：對于燈具和封裝企業(yè)來說無需新建半導(dǎo)體工藝廠房，預(yù)計(jì)300萬元的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)費(fèi)，3~5名企業(yè)研發(fā)人員的培訓(xùn)。五年專利許可費(fèi)用50萬元。技術(shù)轉(zhuǎn)移周期6個(gè)月。

13. 超小點(diǎn)距LED顯示技術(shù)

項(xiàng)目名稱：超小點(diǎn)距LED顯示技術(shù)

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 √生長期□成熟期

概況：
隨著世界步入4K平板顯示時(shí)代，對于LCD和OLED所不能探及的70寸以上大尺寸高清顯示屏領(lǐng)域，超小點(diǎn)距（小于1mm）高清高分辨率LED全彩顯示屏將成為未來這個(gè)領(lǐng)域的主角，因此開發(fā)相關(guān)的關(guān)鍵技術(shù)迫在眉睫。目前臺(tái)系廠商占有領(lǐng)先優(yōu)勢，但點(diǎn)距仍沒有做到1mm以下。日亞、科銳兩家顯示屏行業(yè)的高端品牌暫時(shí)處于落后位置，國產(chǎn)封裝廠家雖然反應(yīng)速度較快，但目前在小間距市場無成功案例。

技術(shù)特點(diǎn)：
為降低LED全彩顯示屏點(diǎn)距，本成果采用RGB全彩顯示單元陣列（n×n）作為高清LED顯示屏的最小封裝體，突破了超小點(diǎn)距（P0.7mm）RGB全彩顯示單元陣列制備工藝中的關(guān)鍵技術(shù)，包括：超小尺寸（8mil以下）紅綠藍(lán)倒裝芯片制備技術(shù)、倒裝芯片共晶焊工藝技術(shù)、PCB導(dǎo)電通孔基板的盲孔工藝技術(shù)、全彩顯示陣列底板的金屬互連工藝技術(shù)、全彩顯示陣列底板行列布線的電絕緣工藝以及芯片間的光隔離技術(shù)。解決了大尺寸平板顯示屏發(fā)光像素的小型化難題，開發(fā)出了P0.7mm點(diǎn)距低成本高可靠性高清高分辨率全彩LED顯示屏樣品，形成多項(xiàng)自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)。

專利情況：已申請11項(xiàng)專利。

市場分析：
隨著LED技術(shù)的進(jìn)步，LED顯示技術(shù)已經(jīng)成為室外顯示的主導(dǎo)技術(shù)，隨之超小點(diǎn)距LED技術(shù)的研發(fā)有可能成為重要的是室內(nèi)顯示技術(shù)，近年來中國LED全彩顯示屏市場年復(fù)合增長率30%以上，至2015年市場規(guī)模將達(dá)到288.2億元。外延與芯片、封裝工藝在LED顯示中的成本隨著像素間距的減小成本仍然很高，必須通過整體的技術(shù)進(jìn)步提高成品率并降低成本。

合作方式：知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可；技術(shù)服務(wù)；對于致力于超小點(diǎn)距LED顯示技術(shù)的LED封裝企業(yè)可以考慮技術(shù)轉(zhuǎn)讓及入股。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：對于封裝企業(yè)來說無需新建半導(dǎo)體工藝廠房，預(yù)計(jì)1000萬元的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)費(fèi)，3~5名企業(yè)研發(fā)人員的培訓(xùn)。五年專利許可費(fèi)用200萬元。技術(shù)轉(zhuǎn)移周期6個(gè)月。

14. LED無基板封裝技術(shù)

項(xiàng)目名稱：LED無基板封裝技術(shù)

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 √生長期□成熟期

概況：
LED封裝工藝一般都要使用某種基板、管殼或者支架，將發(fā)光二極管芯片通過某種方式粘結(jié)在該基板、管殼或者支架上，然后通過金絲球焊工藝將芯片上部的電極連接到基板、管殼或者支架上的相應(yīng)電極上以實(shí)現(xiàn)電連接，最后通過某種方式在該基板、管殼或者支架上使用透明封裝材料加以密封或者覆蓋，有時(shí)也將該透明材料形成某種宏觀形狀以提高光提取效率，也有使用相應(yīng)的具有熒光功能的材料進(jìn)行密封或者覆蓋達(dá)其專門用途。本項(xiàng)目即研發(fā)了一種制備無基板封裝的方法。

技術(shù)特點(diǎn)：
這項(xiàng)封裝技術(shù)是利用芯片本身的襯底和封裝材料作為封裝基板，簡化發(fā)光二極管的工藝路徑，降低全工藝成本，提供最小的發(fā)光二極管封裝體積，全角度發(fā)光特性，降低器件封裝熱阻，實(shí)現(xiàn)對發(fā)光二極管電學(xué)和光學(xué)性能更好的控制，并具有簡單、成本低等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)工藝封裝相比成本降低30%左右，發(fā)光效率與傳統(tǒng)封裝相當(dāng)。

專利情況：已申請專利有6項(xiàng)，授權(quán)2項(xiàng)。

市場分析：
隨著LED技術(shù)的進(jìn)步，外延與芯片工藝在發(fā)光二極管成本中所占的比例相對降低，而封裝步驟由于耗費(fèi)材料和工藝步驟較多且技術(shù)含量較低，其成本難以降低。作為現(xiàn)有封裝結(jié)構(gòu)與晶圓級封裝結(jié)構(gòu)的中間階段，發(fā)光二極管的無基板封裝是重要的發(fā)展趨勢之一。預(yù)計(jì)全國的LED封裝產(chǎn)能5%轉(zhuǎn)化為無基板封裝將帶來10億人民幣以上的產(chǎn)值和材料、能源等成本節(jié)約。

合作方式：知識(shí)產(chǎn)權(quán)許可；技術(shù)服務(wù)；對于致力于封裝結(jié)構(gòu)改善的LED封裝企業(yè)可以考慮技術(shù)入股。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：
對于封裝企業(yè)來說無需新建半導(dǎo)體工藝廠房，預(yù)計(jì)3000萬元的產(chǎn)業(yè)化經(jīng)費(fèi)，3~5名企業(yè)研發(fā)人員的培訓(xùn)。五年專利許可費(fèi)用1000萬元。技術(shù)轉(zhuǎn)移周期6個(gè)月。

15. MEMS壓力傳感器

項(xiàng)目名稱：MEMS壓力傳感器

項(xiàng)目成熟階段：□孵化期 √生長期□成熟期

概況：
本項(xiàng)目采用MEMS技術(shù)進(jìn)行MEMS壓力傳感器核心芯片的技術(shù)開發(fā)。針對不同細(xì)分市場對MEMS壓力傳感器芯片的應(yīng)用需求，進(jìn)行低壓、中壓、高壓芯片的核心技術(shù)和小批量量產(chǎn)化技術(shù)開發(fā)。重點(diǎn)解決有關(guān)各量程規(guī)格芯片的靈敏度、非線性和溫漂系數(shù)關(guān)鍵指標(biāo)的高效設(shè)計(jì)，建立MEMS壓力傳感器芯片的工程化工藝技術(shù)規(guī)范，建成中試生產(chǎn)線，完成特定規(guī)格MEMS壓力傳感器芯片的批量供應(yīng)。

技術(shù)特點(diǎn)：
已完成針對低、中、高壓（10kPa-40MPa）MEMS壓力芯片的原型器件開發(fā)；能夠針對不同應(yīng)用領(lǐng)域的MEMS壓力芯片進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)，解決提高靈敏度和降低非線性、芯片長期工作穩(wěn)定性的關(guān)鍵技術(shù)難題；原型芯片的研發(fā)技術(shù)符合工程量產(chǎn)化技術(shù)要求，易于快速轉(zhuǎn)化和量產(chǎn)；與國外知名公司產(chǎn)品相比，技術(shù)指標(biāo)相當(dāng)，部分指標(biāo)如靈敏度溫漂系數(shù)相比優(yōu)異。

市場需求及應(yīng)用情況：
MEMS壓力傳感器可應(yīng)用于工業(yè)類儀器儀表、油井勘探、工業(yè)自動(dòng)化控制中壓力監(jiān)測、可穿戴、智慧醫(yī)療領(lǐng)域壓力測量、汽車電子等領(lǐng)域。年需求量可達(dá)數(shù)千萬只。

合作方式：項(xiàng)目進(jìn)行中將會(huì)以技術(shù)開發(fā)為主，擇機(jī)與相關(guān)企業(yè)以技術(shù)轉(zhuǎn)讓或技術(shù)入股的方式進(jìn)行合作。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：需要凈化環(huán)境和相關(guān)半導(dǎo)體工藝加工設(shè)備，關(guān)鍵設(shè)備包括清洗、光刻系統(tǒng)、離子注入、熱氧化、LPCVD系統(tǒng)、ICP刻蝕、電子束蒸發(fā)、晶圓級鍵合、磨拋設(shè)備、劃片機(jī)等。

16. 高速CMOS圖像傳感器

項(xiàng)目名稱：高速CMOS圖像傳感器

項(xiàng)目成熟階段：√孵化期 □生長期□成熟期

概況：
高速攝像系統(tǒng)用于記錄高速運(yùn)動(dòng)物體的運(yùn)動(dòng)細(xì)節(jié)以及瞬態(tài)發(fā)生的物理現(xiàn)象，廣泛應(yīng)用于航天、軍事、工業(yè)、交通、體育等領(lǐng)域，可解決科學(xué)研究和日常生產(chǎn)生活中的很多重大難題。高速CMOS圖像傳感器是實(shí)現(xiàn)低功耗、低成本、體積小高速攝像系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)，其性能決定了高速攝像系統(tǒng)的成像速度和成像質(zhì)量。半導(dǎo)體所與芯片制造廠深度合作，定制開發(fā)了高速圖像傳感器芯片的專用工藝流程，掌握了速度超過1000幀/秒的高速CMOS圖像傳感器的設(shè)計(jì)方法并開發(fā)出原型芯片。目前芯片性能已通過中國電子標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)研究院的檢測認(rèn)定，中國科學(xué)院長春光機(jī)所已使用該芯片開發(fā)出了高速相機(jī)。這是國內(nèi)首款具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、全國產(chǎn)超高速圖像傳感芯片。

技術(shù)特點(diǎn)：
主要技術(shù)指標(biāo)：圖像分辨率800×600；量化位寬12bit；圖像幀率1000fps；動(dòng)態(tài)范圍70dB；工作溫度范圍在-25℃至85℃；芯片功耗0.67W；同時(shí)定制的圖像傳感器工藝和設(shè)計(jì)流程，具有更佳的高速圖像獲取能力。
目前由美國Cypress公司研制的LUPA-1300是當(dāng)前主流高速圖像傳感器芯片。該芯片的分辨率為1280×1024，但量子效率僅為40%@600nm，動(dòng)態(tài)范圍為57.8dB，圖像幀率僅為500幀。相比于該芯片，雖然我們的圖像傳感器分辨率稍小，但圖像傳感器的分辨率可以根據(jù)用戶的需要進(jìn)行定制設(shè)計(jì)，且我們的圖像傳感器在量子效率，動(dòng)態(tài)范圍和圖像幀率方面具有明顯優(yōu)勢。

專利情況：已申請17項(xiàng)發(fā)明專利，授權(quán)6項(xiàng)。

市場分析：
高速圖像傳感器可應(yīng)用于工業(yè)生產(chǎn)、農(nóng)業(yè)生產(chǎn)、智能交通、虛擬現(xiàn)實(shí)、科學(xué)研究、國防軍事及其他民用領(lǐng)域。具體來說，高速圖像傳感器可應(yīng)用于汽車碰撞試驗(yàn)、火箭發(fā)射、彈道測試、體育賽事、目標(biāo)追蹤、微表情研究和高速車牌識(shí)別等領(lǐng)域。
目前，進(jìn)口的高速圖像傳感器芯片價(jià)格極其昂貴，高端芯片受軍事禁運(yùn)限制，無法獲得，面臨“一芯難求”的局面。半導(dǎo)體所成功研發(fā)的高速圖像傳感器是國內(nèi)首款具有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)、全國產(chǎn)超高速圖像傳感芯片。據(jù)統(tǒng)計(jì)，2014年度市場規(guī)模可達(dá)2億美元，且每年以6%速度增長。其應(yīng)用范圍包括了機(jī)器視覺、交通監(jiān)控、科學(xué)試驗(yàn)、運(yùn)動(dòng)捕獲以及撞擊測試等領(lǐng)域。僅機(jī)器視覺領(lǐng)域，據(jù)調(diào)查，2015年全球機(jī)器視覺系統(tǒng)及部件市場預(yù)計(jì)將超過153億美元，復(fù)合年均增長率將達(dá)到11%。

合作方式：該項(xiàng)目尚處于孵化期，因此希望有意向合作的企業(yè)提供較為典型的產(chǎn)品應(yīng)用環(huán)境進(jìn)行產(chǎn)品開發(fā)。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：預(yù)計(jì)產(chǎn)業(yè)化需持續(xù)時(shí)間2-3年，總計(jì)需1500平米的研發(fā)環(huán)境，用于建設(shè)實(shí)驗(yàn)室和辦公場所，此外還需購買一系列用于高速圖像傳感器測試的專用設(shè)備，以及需要購買芯片開發(fā)所需的EDA軟件，支出芯片流片費(fèi)和人員勞務(wù)費(fèi)以及實(shí)驗(yàn)室運(yùn)行費(fèi)。

17. 高性能數(shù)�；旌�、射頻微電子SOC集成電路設(shè)計(jì)

概況：
半導(dǎo)體所高速電路研究組現(xiàn)有員工15人，主要從事高性能數(shù)�；旌蟂OC系統(tǒng)集成電路及高性能射頻微電子SOC集成電路的設(shè)計(jì)和開發(fā)。
目前已開發(fā)出：直接數(shù)字頻率合成器（DDFS）、數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）、模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）、北斗+GPS多模導(dǎo)航型射頻芯片、CPT原子鐘微波電路等。

產(chǎn)品1：直接數(shù)字頻率合成器（DDFS）
直接數(shù)字頻率合成器芯片具有低成本、低功耗、高分辨率和快速轉(zhuǎn)換時(shí)間等優(yōu)點(diǎn)，廣泛使用在電信與電子儀器領(lǐng)域，是實(shí)現(xiàn)設(shè)備全數(shù)字化的一個(gè)關(guān)鍵技術(shù)。芯片還具有調(diào)幅、調(diào)頻和調(diào)相等調(diào)制功能及片內(nèi)D/A變換器。

技術(shù)特點(diǎn)：
產(chǎn)品型號(hào)CAS9858，主要功能與性能指標(biāo)為：
內(nèi)含10位DAC、32位可編程頻率寄存器；
I/O接口：串/并行;
源電壓3.3V;
內(nèi)部時(shí)鐘頻率1000MHz;
無寄生動(dòng)態(tài)范圍（SFDR）：50dBc;
合成頻率范圍1Hz-500MHz;
封裝形式/外形尺寸：CQFP/EP100;
國外對應(yīng)產(chǎn)品：美國ADI公司的AD9858。

產(chǎn)品2：數(shù)模轉(zhuǎn)換器（DAC）
數(shù)模轉(zhuǎn)換器(DAC)是非常通用的器件,主要應(yīng)用于通信、視頻、音頻、信號(hào)處理、信號(hào)合成等方面。
技術(shù)特點(diǎn)：
產(chǎn)品型號(hào)CAS9731，主要功能和性能指標(biāo)：
輸出信號(hào)10位精度;
電源電壓3.3V;
內(nèi)部時(shí)鐘頻率300MHz;
無寄生動(dòng)態(tài)范圍60dBc;
封裝形式DIP24;
國外對應(yīng)產(chǎn)品：美國ADI公司AD9731。
產(chǎn)品3：模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）
廣泛應(yīng)用于WIFI基帶，模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換等場合。
技術(shù)特點(diǎn)：
產(chǎn)品型號(hào)SCIADC060，該產(chǎn)品已量產(chǎn)，主要功能和性能指標(biāo)：
數(shù)字輸出10位精度;
電源電壓3.3V/1.2V;
內(nèi)部時(shí)鐘頻率100MHz;
IQ雙通道;

國外對應(yīng)產(chǎn)品：美國ADI公司AD9204。

產(chǎn)品4：北斗+GPS多模導(dǎo)航型射頻芯片
我國建立自主衛(wèi)星定位系統(tǒng)，是國家的整體戰(zhàn)略規(guī)劃。關(guān)系到國家安全和國家經(jīng)濟(jì)的發(fā)展。實(shí)驗(yàn)室研發(fā)成功了與我國自主衛(wèi)星定位系統(tǒng)相適應(yīng)的，并且能與GPS衛(wèi)星定位系統(tǒng)同時(shí)工作的核心芯片，對建立和發(fā)展我國衛(wèi)星定位導(dǎo)航產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)，具有重大的戰(zhàn)略和現(xiàn)實(shí)意義。
（1）主要應(yīng)用領(lǐng)域：
個(gè)人行車定位與導(dǎo)航終端、行車記錄儀、電子狗；
智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)信息終端；
交通運(yùn)輸車輛管理與跟蹤系統(tǒng)；
航海、船舶作業(yè)導(dǎo)航與定位設(shè)備；
測繪、水利、森林防火、減災(zāi)救災(zāi)和公共安全等。
（2）技術(shù)特點(diǎn)：
接收信號(hào)類型：并行接收BD2 B1和GPS L1頻點(diǎn)導(dǎo)航信號(hào)轉(zhuǎn)換為數(shù)字中頻信號(hào)輸出。
芯片集成度：要求射頻芯片具有高度的集成度，集成包括低噪放、混頻器、中頻濾波器、自動(dòng)增益控制電路、模數(shù)轉(zhuǎn)換電路、振蕩器、頻率合成器、SPI接口和低壓差線性電源等功能模塊。
等效噪聲系數(shù)：≤3dB；
A/D采樣寬度：2-4位；
中頻頻點(diǎn)：4.092MHz；
峰值功耗小于60mW。
工作溫度：－40℃～＋85℃；

產(chǎn)品5：CPT原子鐘微波電路的ASIC集成
微型CPT原子鐘由芯片物理系統(tǒng)和芯片原子鐘電路構(gòu)成。武漢物數(shù)所與上海微系統(tǒng)所在“十五”中科院方向項(xiàng)目的支持下已經(jīng)于2009年開始開展微型CPT原子鐘物理系統(tǒng)的MEMS制造研究，取得了重要研究進(jìn)展。我實(shí)驗(yàn)室旨在配合芯片物理系統(tǒng)研制，通過半導(dǎo)體所與武漢物數(shù)所聯(lián)合開展CPT原子鐘微波電路ASIC工藝集成方案研究，爭取同步研制出芯片原子鐘電路，以實(shí)現(xiàn)微型CPT原子鐘整機(jī)。通過院內(nèi)研究所合作，研制出國產(chǎn)微型CPT原子鐘，發(fā)揮出中科院科研攻關(guān)的國家隊(duì)作用。
微型CPT原子鐘的應(yīng)用前景非常廣闊。隨著電子設(shè)備移動(dòng)性和數(shù)據(jù)處理速度的方面的需求，穩(wěn)定性好、體積小、能耗低的頻率標(biāo)準(zhǔn)的需求越來越強(qiáng)烈，CPT原子鐘的體積小、能耗低特點(diǎn)使得它作為微型原子鐘具有明顯的優(yōu)勢。微型CPT原子鐘特別適合規(guī)�；a(chǎn)，可以降低原子鐘的生產(chǎn)成本。
技術(shù)特點(diǎn)：
總電流小于2mA；
芯片可實(shí)現(xiàn)SPI接口配置，且PLL環(huán)路濾波器外置；
參考頻率10MHz的條件下，輸出信號(hào)中心頻率3.417GHz，頻率調(diào)整范圍±10kHz；
相位噪聲由于-60dBc/Hz@100Hz，-90dBc/Hz@10kHz；
輸出功率大于-7dBm；
PLL鎖定時(shí)間小于1.0ms；
面積（封裝后）不大于6mm×6mm。
合作方式：技術(shù)開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓、技術(shù)服務(wù)。

18. 光纖傳感器

項(xiàng)目名稱：光纖傳感器
項(xiàng)目成熟階段： □孵化期 √生長期□成熟期
概況：
光纖傳感器利用光纖進(jìn)行傳感和傳輸，本質(zhì)無源、體積小、重量輕、無電磁干擾問題。一根光纖可串聯(lián)多支傳感器，配合高精度解調(diào)系統(tǒng)，可進(jìn)行數(shù)百只傳感器的大規(guī)模組網(wǎng)應(yīng)用。目前光纖傳感器在國內(nèi)的市場已經(jīng)達(dá)到幾千萬元的年產(chǎn)值，其增長速度遠(yuǎn)高于傳感器產(chǎn)業(yè)的平均增速。光纖傳感器目前已經(jīng)廣泛應(yīng)用于石油石化、電力、消防、土木工程、水利工程、現(xiàn)代交通等領(lǐng)域。

已開發(fā)的產(chǎn)品：

技術(shù)特點(diǎn)：
1、全光纖傳感、傳輸；2、本質(zhì)無源；3、可用于高溫高壓惡劣環(huán)境；4、使用壽命長（>20 年）；5、靈敏度高；6、信號(hào)可長距離傳輸。
專利情況：
中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所在光纖傳感器領(lǐng)域累計(jì)已經(jīng)申請專利71項(xiàng)、獲得授權(quán)發(fā)明專利25項(xiàng)、實(shí)用新型專利3項(xiàng)。
市場分析及應(yīng)用情況：
國內(nèi)目前從事光纖傳感器研發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)在不足30家，總年產(chǎn)值在千萬量級。而光纖傳感器全世界的年產(chǎn)值在幾億美元。光纖傳感器的市場份額在不斷增加，其增長速度遠(yuǎn)高于傳感器行業(yè)的平均增速。目前在國內(nèi)的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括石化管道的監(jiān)測、土木工程監(jiān)測、以及軍用傳感器。
合作方式：技術(shù)開發(fā)、技術(shù)轉(zhuǎn)讓。
產(chǎn)業(yè)化所需條件：
企業(yè)提供廠房、基礎(chǔ)建設(shè)（2000 m2生產(chǎn)車間，500 m2辦公用地）、600萬啟動(dòng)資金和設(shè)備資金，5人左右的技術(shù)團(tuán)隊(duì)和10人左右的生產(chǎn)團(tuán)隊(duì)。

19. 仿生人臉識(shí)別技術(shù)

項(xiàng)目名稱：仿生人臉識(shí)別技術(shù)
項(xiàng)目成熟階段（選擇）： □孵化期 □生長期 √成熟期

概況：
基于人類視覺感知特性與認(rèn)知機(jī)理，研究了仿生人臉識(shí)別相關(guān)的仿生人臉圖像處理、仿生人臉檢測與定位、仿生人臉特征分析、仿生人臉模式學(xué)習(xí)與辨識(shí)新理論、新方法，該技術(shù)能夠大幅度提高人臉識(shí)別系統(tǒng)針對表情、光照、面部活動(dòng)、年齡等變化的魯棒性，有效地提高了人臉識(shí)別的準(zhǔn)確率。該技術(shù)可以應(yīng)用于ATM安全取款機(jī)、人臉識(shí)別手機(jī)、人臉識(shí)別考勤系統(tǒng)、網(wǎng)絡(luò)培訓(xùn)監(jiān)控、動(dòng)態(tài)特征點(diǎn)定位、人臉面部遮擋檢測等方面。

技術(shù)特點(diǎn)：
該技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的人臉檢測與定位算法，具有較高的人臉定位率；在人臉檢測、特征提取、人臉識(shí)別過程耗時(shí)少；在豐富表情、復(fù)雜光照、復(fù)雜背景等條件下依然能夠保證人臉識(shí)別的準(zhǔn)確率；臉特征數(shù)據(jù)量小，使其能夠應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)傳輸，實(shí)現(xiàn)云考勤等應(yīng)用；姿態(tài)適應(yīng)范圍：深度旋轉(zhuǎn)±15°，俯仰±15°。
專利情況：申請專利4項(xiàng)，授權(quán)2項(xiàng)。

市場分析及應(yīng)用情況：
該技術(shù)目前可以應(yīng)用于門禁系統(tǒng)、考勤系統(tǒng)、機(jī)場安檢、口岸檢查、智能監(jiān)控、嫌犯排查等領(lǐng)域。
合作方式：技術(shù)開發(fā)、技術(shù)服務(wù)。

產(chǎn)業(yè)化所需條件：
場地：約500平米；資金投入：約2000萬元人民幣；技術(shù)開發(fā)人員：約10～15人。
人臉識(shí)別手機(jī)樣機(jī)
多人臉識(shí)別系統(tǒng)
人臉識(shí)別考勤機(jī)樣機(jī)
應(yīng)用于ATM安全取款機(jī)
應(yīng)用于網(wǎng)絡(luò)培訓(xùn)監(jiān)控
動(dòng)態(tài)特征點(diǎn)定位

......

查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.semi.cas.cn/cgzl/201403/P020150416307521238099.pdf。