|
功率GaN技術(shù)已證明可為電源轉(zhuǎn)換帶來(lái)出色的效率。但對(duì)于汽車應(yīng)用這樣的市場(chǎng)，解決方案還需要出色的耐用性，才能確保高質(zhì)量和可靠性。我們必須證明，Nexperia的GaN技術(shù)不但可以在高電壓和高溫下提供操作耐用性，還能在生產(chǎn)中兼顧質(zhì)量、可靠性和可擴(kuò)展性，以便成功地投入大電流、高功率的汽車應(yīng)用。
Nexperia的GaN FET技術(shù)目前專注于650V的高功率應(yīng)用。包括AC/DC、PFC、OBC和DC/DC轉(zhuǎn)換，覆蓋電信、服務(wù)器、存儲(chǔ)、數(shù)據(jù)中心和工業(yè)市場(chǎng)領(lǐng)域，該技術(shù)在這些領(lǐng)域具有高效率水平。但更重要的是，應(yīng)用還包括汽車電源轉(zhuǎn)換和牽引逆變器，因此器件需要符合AEC-Q1O1耐用性水平。
以下產(chǎn)品參數(shù)來(lái)自我們的50mΩ/650V器件（GAN063-650WSA），但其它產(chǎn)品也具有以下的規(guī)格。
- 高可靠性柵極結(jié)構(gòu)（±20V）和高閾值電壓（4V）為Vgs瞬態(tài)尖峰提供了安全裕量；
- 高Vds瞬態(tài)電壓規(guī)格,可以處理高達(dá)800V的開(kāi)關(guān)瞬態(tài)尖峰；
- -55至175°C工作溫度范圍,使其非常適合惡劣環(huán)境；
- 極低的Vf（1.3V@12A）,可實(shí)現(xiàn)類似硅Mosfet的反向續(xù)流能力，同時(shí)Qrr非常低。
從上述產(chǎn)品參數(shù)可以看出，Nexperia GaN產(chǎn)品具有出色的耐用性。當(dāng)然，我們?nèi)孕柰ㄟ^(guò)重要的測(cè)試證明該耐用性符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)。
汽車市場(chǎng)的一些標(biāo)準(zhǔn)堪稱嚴(yán)苛，Nexperia的650V GaN FET已通過(guò)AEC-Q101 Rev D級(jí)別的認(rèn)證測(cè)試。為了滿足這一嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品需要通過(guò)各種測(cè)試，包括：高溫反向偏壓（HTRB）測(cè)試、高低溫循環(huán)測(cè)試、柵極偏壓測(cè)試、偏壓和無(wú)偏壓的濕度測(cè)試、Nexperia的高溫工作壽命（HTOL）測(cè)試。最近的一份白皮書(shū)“650V GaN FET可提供出色效率，以及AEC-Q101認(rèn)證所需的耐用性”中，Nexperia展示了一些測(cè)試結(jié)果，清楚地詮釋了我們的GaN FET符合甚至超越了當(dāng)前測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)。
強(qiáng)調(diào)一點(diǎn)，在50mΩ/650V器件GAN063-650WSA的測(cè)試中，通過(guò)AEC-Q101 Rev D認(rèn)證的條件是Rds（on）的偏移不超過(guò)20%。
作者簡(jiǎn)介：Dilder Chowdhury
Dilder獲得多量子阱半導(dǎo)體器件專業(yè)的博士學(xué)位后，浸淫電子/半導(dǎo)體行業(yè)和學(xué)術(shù)界超過(guò)25年。他曾涉足各種半導(dǎo)體產(chǎn)品和技術(shù)的研發(fā)和營(yíng)銷，范圍覆蓋汽車、電信/服務(wù)器基礎(chǔ)架構(gòu)、計(jì)算和工業(yè)應(yīng)用。他在高壓（高達(dá)1200V）、低壓（低至25V）和混合信號(hào)功率IC方面均有開(kāi)發(fā)和創(chuàng)新。目前他擔(dān)任功率GaN技術(shù)架構(gòu)師，主要負(fù)責(zé)將Nexperia的這一新技術(shù)推向市場(chǎng)。除了研究新技術(shù)，Dilder閑暇時(shí)喜歡在不列顛群島和歐洲探索未受破壞的歷史遺跡。
查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站 http://efficiencywins.nexperia.cn。（Lisa WU, 365PR Newswire）
|
