安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）開(kāi)發(fā)的高能效3D傳感器層疊技術(shù)面向移動(dòng)和消費(fèi)應(yīng)用，用于提高CMOS圖像傳感器的功率、性能和尺寸效益。

相比傳統(tǒng)的單片非層疊式設(shè)計(jì)，該傳感器的裸片占用空間更少、像素表現(xiàn)更高及功耗更佳。這技術(shù)已成功實(shí)現(xiàn)及性能被鑒定于1.1μm像素的測(cè)試芯片，并將于本年稍以產(chǎn)品形式推出。

傳統(tǒng)采用單片基板工藝的傳感器設(shè)計(jì)需要單獨(dú)的裸片區(qū)以支持像素陣列和輔助電路。有了3D層疊技術(shù)，像素陣列和輔助電路可放在不同基板上分開(kāi)制作，然后通過(guò)硅穿孔技術(shù)（TSV）堆疊連接。這樣，像素陣列就能覆蓋基本電路，實(shí)現(xiàn)更有效率的裸片分布。這種方法讓設(shè)計(jì)工程師能夠優(yōu)化傳感器的各個(gè)部分，如成像性能、成本、功率和裸片尺寸。像素陣列的優(yōu)化能提高傳感器的像素性能，降低噪聲水平及增強(qiáng)像素反應(yīng)。下層電路也可以使用更嚴(yán)格的設(shè)計(jì)規(guī)則來(lái)降低功耗。更少的總占板空間支持現(xiàn)今先進(jìn)的相機(jī)模組，這些模組整合了光學(xué)圖像穩(wěn)定（OIS）和附加數(shù)據(jù)存儲(chǔ)功能于同一個(gè)占用空間。

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