全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案開發(fā)和制造商——愛特梅爾公司(Atmel Corporation)3月7日宣布，具有業(yè)界最佳EMC性能(歐洲的EMC測(cè)試及一致性測(cè)試LIN2.0；美國(guó)的SAE J2602-2)的ATA6662獨(dú)立LIN2.0轉(zhuǎn)發(fā)器晶片已經(jīng)可以供貨。憑借愛特梅爾的高電壓BCD-on-SOI(SMARTIS)制程，全新的ATA6662在降低RF干擾的EMI性能方面設(shè)置了新的基準(zhǔn)。該器件具備極佳的ESD保護(hù)能力(超過(guò)6kV)，對(duì)為嚴(yán)酷的汽車工作環(huán)境設(shè)計(jì)強(qiáng)健的電子設(shè)備非常有利。這些設(shè)備包括車門模組、車座控制、智能感測(cè)器和其他車體電子相關(guān)的汽車舒適性應(yīng)用，只需要低速的數(shù)據(jù)通信，并具備低成本的特點(diǎn)。
    ATA6662遵從LIN2.0標(biāo)準(zhǔn)，可以處理高達(dá)40V的電源。全面集成的LIN收發(fā)器并與LIN協(xié)定處理器(如本地微控制器)和LIN匯流排接口。改進(jìn)的匯流排信號(hào)斜率控制可以保證數(shù)據(jù)通訊速率達(dá)到20K波特，而協(xié)定處理器只需RC振蕩器即可。ATA6662在休眠模式下的電流消耗可少至10uA。
    為了消除EMI問(wèn)題，ATA6662集成了受控?cái)[動(dòng)速率的功能。接收器的輸入濾波器可以減少由于匯流排信號(hào)導(dǎo)致的RF干擾。相比標(biāo)準(zhǔn)BCDMOS的大型技術(shù)，愛特梅爾的SMARTIS制程使用了SOI(silicon-on-insulator，硅位于絕緣體之上)基板。其好處是極低的泄漏電流和在相同的晶片上極佳的數(shù)模串?dāng)_抑制能力，以及在高溫的工作條件下也不會(huì)拴鎖。降低了的寄生參數(shù)效果進(jìn)一步提高了EMC性能。
    此外，ATA6662還提供了多種保護(hù)特性，如過(guò)溫自動(dòng)關(guān)閉、短路保護(hù)、匯流排高壓保護(hù)(直至40V)等。ATA6662可以工作于3.3V和5V，還包含了針對(duì)TxD引腳的“支配”超時(shí)功能，以防止永久地將此引腳驅(qū)動(dòng)為支配狀態(tài)。喚醒識(shí)別可以通過(guò)TxD和RxD的引腳狀態(tài)來(lái)了解是本地WAKE-UP引腳導(dǎo)致了喚醒動(dòng)作還是LIN匯流排遠(yuǎn)端喚醒。根據(jù)不同的喚醒條件，處理器可以選擇合適的處理常式。ATA6662并且能夠滿足嚴(yán)格的汽車認(rèn)證要求，完全經(jīng)受得住ISO/TR 7637/1定義的瞬態(tài)動(dòng)作。
    SO8封裝的全新LIN轉(zhuǎn)發(fā)器IC ATA6662樣品經(jīng)已推出，10,000單元訂單的起價(jià)為每個(gè)0.45美元。有關(guān)愛特梅爾獨(dú)立式LIN2.0收發(fā)器集成電路的產(chǎn)品信息，請(qǐng)見網(wǎng)頁(yè)：http://www.atmel.com/dyn/corporate/view_detail.asp?ref=&FileName=ATA6662_CN_3_7.html&SEC_NAME=Product。    （完）