【產(chǎn)通社，5月24日訊】ARM公司（LON股票代碼：ARM；Nasdaq股票代碼：ARMH）官網(wǎng)消息，其首款多核64位ARM v8-A處理器測試芯片采用臺積電公司（TSMC）的10nm FinFET工藝技術(shù)。仿真基準(zhǔn)檢驗(yàn)結(jié)果顯示，相較于目前常用于多款頂尖智能手機(jī)計(jì)算芯片的16nm FinFET+工藝技術(shù)，此測試芯片展現(xiàn)更佳運(yùn)算能力與功耗表現(xiàn)。 

此款測試芯片的成功驗(yàn)證（設(shè)計(jì)定案完成于2015年第四季度）是ARM與臺積電持續(xù)成功合作的重要里程碑。該驗(yàn)證完備的設(shè)計(jì)方案包含了IP、EDA工具、設(shè)計(jì)流程及方法，能夠使新客戶采用臺積電最先進(jìn)的FinFET工藝完成設(shè)計(jì)定案。此外，SoC設(shè)計(jì)人員還能利用基礎(chǔ)IP模塊（包括標(biāo)準(zhǔn)組件庫、嵌入式內(nèi)存及標(biāo)準(zhǔn)I/O）開發(fā)最具競技爭力的SoC，以達(dá)到最高效能、最低功耗及最小面積的目標(biāo)。 

ARM執(zhí)行副總裁兼產(chǎn)品事業(yè)部總裁Pete Hutton表示：“高級移動應(yīng)用SoC設(shè)計(jì)的首項(xiàng)指導(dǎo)原則就是能效，因?yàn)楝F(xiàn)今市場對設(shè)備性能的要求越來越高。臺積電的16納米FFLL+工藝與ARM Cortex處理器奠定了能效的新標(biāo)準(zhǔn)。我們與臺積電在10nm FinFET工藝技術(shù)上的合作，可確保在SoC層面上的效率，使我們的芯片合作伙伴在維持嚴(yán)苛的功耗標(biāo)準(zhǔn)的同時能夠有更大空間實(shí)現(xiàn)創(chuàng)新�！� 

臺積電研發(fā)副總裁侯永清表示：“通過與ARM合作，使我們在工藝和IP的生態(tài)系統(tǒng)上能快速進(jìn)展，并加速客戶的產(chǎn)品開發(fā)周期。通力協(xié)作，我們正在定義能夠持續(xù)促進(jìn)移動市場發(fā)展的處理器技術(shù)。最新的成果就是結(jié)合ARM處理器與臺積電10nm FinFET技術(shù)，為各種尖端移動和消費(fèi)電子產(chǎn)品的終端用戶帶來嶄新體驗(yàn)。”

此款最新的測試芯片是ARM與臺積電長期致力于先進(jìn)工藝技術(shù)的成果，基于2014年10月宣布的首次10nm FinFET技術(shù)合作。ARM與臺積電共同的IC設(shè)計(jì)客戶也獲益于早期獲得ARM Artisan物理IP與ARM Cortex-A72處理器的16nm FinFET+設(shè)計(jì)定案，此款高效能處理器已被當(dāng)今多款市場主要和暢銷計(jì)算設(shè)備采用。 

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