（產(chǎn)通社/深圳，12月12日訊）美光科技公司（Micron Technology, Inc.）（紐約證券交易所：MU）公布了其采用68nm DRAM工藝技術(shù)生產(chǎn)的新型1GB DDR2內(nèi)存產(chǎn)品樣品。這種新工藝結(jié)合了美光公司的6F2技術(shù)，生產(chǎn)出了芯片面積僅為56平方毫米的全球最小的1GB DDR2內(nèi)存。預(yù)計(jì)，其最新的68納米1GB DDR2產(chǎn)品將于明年初開(kāi)始量產(chǎn)，隨后DDR3以及其它低功耗DRAM產(chǎn)品也將于明年下半年投入量產(chǎn)。

美光公司內(nèi)存集團(tuán)副總裁Brian Shirley說(shuō)：“美光公司在開(kāi)發(fā)先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)方面繼續(xù)引領(lǐng)全球的發(fā)展。我們的68納米工藝技術(shù)為用戶要求苛刻的應(yīng)用提供了一流的芯片面積、功耗及速度優(yōu)勢(shì)�！�

這項(xiàng)最新的先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)將主要針對(duì)服務(wù)器應(yīng)用、移動(dòng)應(yīng)用及其它計(jì)算應(yīng)用，在這些應(yīng)用中，具有降低芯片面積、提高速度，減少功耗的優(yōu)勢(shì)最為關(guān)鍵。采用這項(xiàng)新工藝開(kāi)發(fā)的即將推出 的DDR3產(chǎn)品將可以把速度提高到1600Mbps。與前代工藝相比，68納米工藝還可減少約20%的功耗。采用68納米工藝設(shè)計(jì)的未來(lái)的DDR3芯片將豐富美光公司Aspen Memory高能效產(chǎn)品系列，這些產(chǎn)品是專門針對(duì)急需降低能耗的應(yīng)用，如數(shù)據(jù)中心服務(wù)器和筆記本電腦等。

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