【產(chǎn)通社，8月9日訊】廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司（Fenghua Advanced Technology；股票代碼：000636）官網(wǎng)消息，其已對合作申報2020年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎項目《高導(dǎo)互聯(lián)印刷材料及其大面積顯示應(yīng)用》予以公示，公示期限為7天（2020年8月4日至2020年8月12日），在公示期內(nèi)任何單位或個人如對項目有異議，請以書面形式向股份研究院處提出，并附上有效證明材料，證明材料需加蓋單位公章或簽署真實姓名（并注明聯(lián)系方式）。逾期不予受理。

 
項目名稱：
高導(dǎo)互聯(lián)印刷材料及其大面積顯示應(yīng)用
 
主要完成單位：
華南理工大學(xué) 
廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司 
深圳市華星光電技術(shù)有限公司 
華南師范大學(xué) 
廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司
 
主要完成人（職稱、完成單位、工作單位）：
 1. 寧洪龍（研究員、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，項目總負(fù)責(zé)人，負(fù)責(zé)項目的總體策劃、關(guān)鍵技術(shù)指導(dǎo)、實施、協(xié)調(diào)。本人對本項目《主要技術(shù)發(fā)明》中所列的第1、2、3項技術(shù)發(fā)明作出貢獻，是這幾項技術(shù)發(fā)明的總體策劃人。） 
2. 吳海斌（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，主要負(fù)責(zé)項目電極材料的策劃和技術(shù)指導(dǎo)，參與主要技術(shù)發(fā)明1、2的開發(fā)，對項目所列的1、2項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
3. 姚日暉（副教授、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與項目的策劃和實施。負(fù)責(zé)印刷電極墨水的開發(fā)。 對項目所列的2、3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）
4. 付東（高級工程師、廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司、廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司，負(fù)責(zé)項目印刷銀電極部分的策劃和實施。系統(tǒng)性地研究了印刷銀電極的打印工藝，干燥工藝及烘烤工藝。參與項目工作時間占本人工作量的40%。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
5. 趙斌（高級工程師、深圳市華星光電技術(shù)有限公司、深圳市華星光電技術(shù)有限公司，參與高性能a-IGZO薄膜晶體管的開發(fā)。重點研究印刷電極和半導(dǎo)體接觸特性，并進行界面改性。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
6．陶瑞強（未取得、華南師范大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與項目調(diào)研、研發(fā)、文案撰寫，參與印刷高導(dǎo)互聯(lián)高精度圖形化膜層制備與機制分析，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
7. 余磊（未取得、廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司、廣東聚華印刷顯示技術(shù)有限公司，負(fù)責(zé)項目印刷銀電極部分實施和分析測試。并對印刷銀電極在印刷OLED的應(yīng)用做了系統(tǒng)性預(yù)研，包括優(yōu)化印刷銀電極的薄膜厚度及均勻性，方塊電阻，表面粗糙度等。參與項目工作時間占本人工作量的40%。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
8. 章勇（教授、華南師范大學(xué)、華南師范大學(xué)，參與高導(dǎo)互聯(lián)燒結(jié)技術(shù)研究，提出了銀納米粒子與乙酸銀、乙醇和乙二醇等混合形成銀鹽/銀納米粒子的復(fù)合墨水，實現(xiàn)了低溫快速燒結(jié)的印刷電路方法；此外，提出了熱燒結(jié)與電流焦耳熱燒結(jié)相結(jié)合的印刷電極燒結(jié)方法。 對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
9. 陳建秋（未取得、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與項目調(diào)研、研發(fā)，器件的分析測試等工作，參與了高性能金屬氧化物 TFT 器件單元及其陣列制備，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
10. 羅文忠（工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，負(fù)責(zé)項目主要技術(shù)發(fā)明2實施中的工藝及生產(chǎn)管理，解決了銀粒尺寸和形貌控制問題，參與項目工作時間占本人工作量的40%。對主要技術(shù)發(fā)明2做出貢獻。） 
11.陸旭兵（教授、華南師范大學(xué)、華南師范大學(xué)，參與項目器件結(jié)構(gòu)與材料的策劃與實施，參與印刷高導(dǎo)互聯(lián)器件單元介電層的膜層制備與界面修飾。對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）
12. 尚小東（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，負(fù)責(zé)項目納米銀粉部分的策劃和實施。負(fù)責(zé)印刷電極納米銀粉的表面修飾與改性應(yīng)用，創(chuàng)新性提出銀粉吸附分散，脫附改性的制備方法。參與項目工作時間占本人工作量的40%。 對項目所列的第2項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
13. 王磊（副研究員、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與了高穩(wěn)定性的金屬氧化物半導(dǎo)體靶材，并使用該靶材開發(fā)了底柵極背溝道刻蝕，底柵極刻蝕阻擋，頂柵極多種結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管，為本項目印刷銀電極在薄膜晶體管中的應(yīng)用提供了基礎(chǔ)， 對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
14. 徐苗（高級工程師、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，參與了印刷銀電極薄膜晶體管面向大面積顯示應(yīng)用的器件測試及驗證，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。） 
15. 彭俊彪（教授、華南理工大學(xué)、華南理工大學(xué)，負(fù)責(zé)高精度印刷電極圖形化技術(shù)的策劃和開發(fā)，突破傳統(tǒng)打印方式限制，獲得2.4μm短溝道，對項目所列的第3項技術(shù)發(fā)明做出貢獻。）
 
代表性論文：

專著目錄
論文1：< Direct patterning of silver electrodes with 2.4μm channel length by piezoelectric inkjet printing > 
論文2：< Reduced contact resistance of a-IGZO thin film transistors with inkjet-printed silver electrodes > 
論文3：< Gel-switchable droplet front for large-scale uniformity of inkjet printed silver patterns > 
論文4：< A novel point-to-point interface protocol for thin film transistor-liquid >
 
專著1：<印刷顯示材料與技術(shù)>知識產(chǎn)權(quán)名稱
專利1：<一種納米銀粉、其制備方法及應(yīng)用> (ZL201710789625.4) 
專利2：<銀電極漿料> (ZL201310357268.6) 
專利3：<一種薄膜晶體管印刷電極的制備方法> (ZL201610665741.0) 
專利4：<一種噴墨打印薄膜與基板界面觀測與調(diào)控的方法> (ZL201710512228.2) 
專利5：<一種直接噴墨打印短溝道電極的方法> (ZL201711269969.9) 
專利6：<一種紫外光調(diào)控噴墨打印金屬線邊緣雜散顆粒的方法> (ZL201710512247.5) 
專利7：<一種單分散性的銀納米立方及其制備方法及其導(dǎo)電油墨> (ZL201510396198.4) 
專利8：<電荷產(chǎn)生層、電致發(fā)光器件及其制備方法> (ZL201710661330.9) 
標(biāo)準(zhǔn)1：<電子元器件用材料 金屬粉> (Q/FH-GK11-2017) 
標(biāo)準(zhǔn)2：<電子元器件用材料 電子漿料> (Q/FH-GK10-2017)

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