【產(chǎn)通社，8月9日訊】廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司（Fenghua Advanced Technology；股票代碼：000636）官網(wǎng)消息，其對合作申報2020年度廣東省科學(xué)技術(shù)獎項(xiàng)目《超微型片式阻容元件精密制造技術(shù)及應(yīng)用》予以公示，公示期限為7天（2020年8月7日至2020年8月13日），在公示期內(nèi)任何單位或個人如對項(xiàng)目有異議，請以書面形式向股份研究院處提出，并附上有效證明材料，證明材料需加蓋單位公章或簽署真實(shí)姓名（并注明聯(lián)系方式）。逾期不予受理。
 
項(xiàng)目名稱：
超微型片式阻容元件精密制造技術(shù)及應(yīng)用
 
主要完成單位：
單位1  廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司 
單位2  清華大學(xué) 
單位3  中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院 
單位4  中興通訊股份有限公司 
單位5  清華大學(xué)深圳國際研究生院
 
主要完成人（職稱、完成單位、工作單位）：
 1.付振曉（教授級高工、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、項(xiàng)目總負(fù)責(zé)人，負(fù)責(zé)項(xiàng)目的總體策劃、關(guān)鍵技術(shù)指導(dǎo)、實(shí)施、協(xié)調(diào)，主持項(xiàng)目重點(diǎn)難點(diǎn)攻關(guān)、大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化及產(chǎn)品推廣應(yīng)用。對主要科技創(chuàng)新中所列第1、2、3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。） 
2.王曉慧（教授、清華大學(xué)、主要負(fù)責(zé)超微型MLCC用陶瓷介質(zhì)材料的研發(fā)、應(yīng)用和產(chǎn)業(yè)化技術(shù)指導(dǎo)。重點(diǎn)研究了陶瓷介質(zhì)材料對產(chǎn)品性能和失效的影響機(jī)理。對主要技術(shù)創(chuàng)新中所列第3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。） 
3.曹秀華（教授級高工、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，主要負(fù)責(zé)超微型片式元件用陶瓷介質(zhì)材料、超薄介質(zhì)流延成型及端頭電極的技術(shù)攻關(guān)，重點(diǎn)研究端電極對產(chǎn)品可靠性的影響。對主要科技創(chuàng)新中所列第1、2、3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。） 
4.孫蓉（研究員、中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院，主要負(fù)責(zé)超微型片式元件用樹脂保護(hù)漿料及超薄流延成型用陶瓷漿料配方的研究，對主要科技創(chuàng)新中所列第2、3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。） 
5.劉哲（高級工程師、中興通訊股份有限公司，主要負(fù)責(zé)產(chǎn)品可靠性設(shè)計及應(yīng)用驗(yàn)證。對主要科技創(chuàng)新中所列第2點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
6.宋子峰（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，主要負(fù)責(zé)超微型MLCC用陶瓷介質(zhì)材料及導(dǎo)體漿料應(yīng)用研究、MLCC關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)及大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化工藝管控。對主要科技創(chuàng)新中所列第1、2、3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
7.楊曉平（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，主要負(fù)責(zé)超微型片式電阻器關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)及大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化實(shí)施，并進(jìn)行超微型片式電阻器的應(yīng)用推廣。對主要科技創(chuàng)新中所列第1、2點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
8.李勃（研究員、清華大學(xué)深圳國際研究生院，主要開發(fā)陶瓷介質(zhì)材料后處理關(guān)鍵技術(shù)，發(fā)展新型多層陶瓷技術(shù)與元件工藝。對主要科技創(chuàng)新中所列第1、3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
9.胡春元（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司，重點(diǎn)研究了超微型片式阻容元件可靠性驗(yàn)證及失效分析技術(shù)。對主要科技創(chuàng)新中所列第1、2點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
10.郭麗敏（副教授、北京郵電大學(xué)、清華大學(xué)，參與陶瓷介質(zhì)材料的制備和晶體生長控制，對主要技術(shù)創(chuàng)新中所列第3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
11.于淑會（研究員、中國科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院、參與片式元件用樹脂漿料及流延陶瓷配方的研究，對主要科技創(chuàng)新中所列第2、3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
12.安可榮（工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、負(fù)責(zé)開發(fā)MLCC材料應(yīng)用工藝及MLCC產(chǎn)品認(rèn)證、制作過程工藝開發(fā)，重點(diǎn)參與介質(zhì)材料分散技術(shù)開發(fā)。對主要科技創(chuàng)新中所列第1、2、3點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
13.陳長云（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、負(fù)責(zé)開發(fā)MLCC工藝和材料認(rèn)證，重點(diǎn)參與精密絲網(wǎng)印刷技術(shù)、MLCC端頭金屬化工藝和產(chǎn)業(yè)化技術(shù)。對主要科技創(chuàng)新中所列第2點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
14.林瑞芬（高級工程師、廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司、負(fù)責(zé)超微型片式電阻器高可靠性技術(shù)攻關(guān)和工藝驗(yàn)證，對主要科技創(chuàng)新中所列第2點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）： 
15.王峰（工程師、中興通訊股份有限公司，參與產(chǎn)品可靠性設(shè)計及應(yīng)用驗(yàn)證。對主要科技創(chuàng)新中所列第2點(diǎn)做出貢獻(xiàn)。）
 
代表性論文

專著目錄
論文1：<名稱：Nano Ag-Deposited BaTiO3 Hybrid Particles as Fillers for Polymeric Dielectric Composites: Toward High Dielectric Constant and Suppressed Loss、期刊：ACS APPLIED MATERIALS & INTERFACES、年卷：2014年6卷1期176-182頁、第一作者：羅遂斌、通訊作者：于淑會 孫蓉> 
論文2：<名稱：A systematic study on electrical properties of the BaTiO3-epoxy composite with different sized BaTiO3 as fillers、期刊：Journal of Alloys and Compounds、年卷：2014年620卷315-323頁、第一作者：楊文虎、通訊作者：楊文虎，孫蓉> 
論文3：<名稱：Formation of Core-Shell Structure in Ultrafine-Grained BaTiO3- Based Ceramics Through Nanodopant Method、期刊：Journal of the American Ceramic Society、年卷：2010年93卷171-175頁、第一作者：田之濱、通訊作者：王曉慧> 
論文4：<名稱：Superior reliability via two-step sintering: barium titanate ceramics、期刊：Journal of the American Ceramic Society、年卷：2016年99卷191-197頁、第一作者：趙虔誠、通訊作者：王曉慧> 
論文5：<名稱：AI仿真在通訊產(chǎn)品中的應(yīng)用、期刊： 2019中國高端SMT學(xué)術(shù)會議論文集、年卷：2019年30-34頁、第一作者：肖守春、通訊作者：肖守春>
 
知識產(chǎn)權(quán)名稱
專利1：<多層陶瓷電容器的制備方法>（專利授權(quán)號：ZL201310248590.5、發(fā)明人：宋子峰 張發(fā)秀 周鋒 祝忠勇 陸亨 劉新 盧藝森 許耿睿 周劍恒 鄧健初 陳長云 安可榮 李筱瑜、權(quán)利人：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司） 
專利2：<一種小型片式電阻的制造方法>（專利授權(quán)號：ZL201110192457.3、發(fā)明人:楊理強(qiáng) 張遠(yuǎn)生 楊曉平 鄧進(jìn)甫 蘭昌云 梁小云、權(quán)利人：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司） 
專利3：<多層陶瓷電容器的制造方法及燒結(jié)銅端電極的設(shè)備>(專利授權(quán)號：ZL201210418968.7、發(fā)明人：陸亨 祝忠勇 劉新 宋子峰 陳長云 安可榮 李筱瑜   謝忠 鄧文華、權(quán)利人：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司） 
專利4：<一種片式電容器的端電極制造方法>（專利授權(quán)號：ZL200810220590.3、發(fā)明人:陳鑒波 賴永雄 李旭杰 付振曉 唐 浩、權(quán)利人：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司） 
專利5：<多層陶瓷電容器及其制備方法>（專利授權(quán)號：ZL201310332139.1、發(fā)明人:陸亨 周鋒 安可榮 王艷紅 劉新 彭自沖、權(quán)利人：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司） 
專利6：<電容器的絲網(wǎng)印刷設(shè)備及電容器的制造方法>(專利授權(quán)號：ZL201510105401.8、發(fā)明人：廖慶文 周鋒 祝忠勇 宋子峰 劉蘭蘭 程志強(qiáng)、權(quán)利人：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司)　 
專利7：<片式多層陶瓷電容器的封端漿料、片式多層陶瓷電容器及其制備方法>(專利授權(quán)號：ZL201410848485.X、發(fā)明人：黃必相 陳長云 曾雨、權(quán)利人：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司） 
專利8：<電阻板及其制備方法>(專利授權(quán)號：ZL201410831600.2、發(fā)明人：何國強(qiáng)歐陽鐵英 林瑞芬、權(quán)利人：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司)　 
專利9：<納米摻雜制備賤金屬內(nèi)電極多層陶瓷片式電容器介質(zhì)材料>(專利授權(quán)號：ZL200710178132.3、發(fā)明人：王曉慧 田之濱 王天 李龍土、權(quán)利人：清華大學(xué)） 
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)1：<介電陶瓷材料鋯鈦酸鋇 鋯、鈦和鋇含量的測定 X射線熒光光譜法>（標(biāo)準(zhǔn)編號：JC/T 2213—2014、標(biāo)準(zhǔn)起草人：曹秀華 杜澤偉 梁智紅 付振曉 宋永生 馮濤 曹培福、標(biāo)準(zhǔn)起草單位：廣東風(fēng)華高新科技股份有限公司 中國科學(xué)院上海硅酸鹽研究所 上海市新材料協(xié)會）

查詢進(jìn)一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.china-fenghua.com。（robin zhang, 張底剪報）    （完）