【產(chǎn)通社，9月5日訊】北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司（Gigadevice Semiconductor；股票代碼：603986）2021年半年度報(bào)告顯示，其NOR Flash繼續(xù)保持技術(shù)和市場的領(lǐng)先，針對(duì)不同應(yīng)用市場需求分別提供高性能、低功耗、高可靠性、高安全性等多個(gè)系列產(chǎn)品：
（1）大容量。公司推出512Mb、1Gb、2Gb1的大容量SPI NOR Flash產(chǎn)品，填補(bǔ)國產(chǎn)空白。
（2）高性能、高可靠性。公司推出國內(nèi)首款業(yè)界最高性能的GD25/GD55 T/X系列產(chǎn)品，各項(xiàng)規(guī)格、指標(biāo)完全符合最新的JEDEC xSPI以及 Xccela聯(lián)盟的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，產(chǎn)品內(nèi)置ECC算法與CRC校驗(yàn)功能，最大程度上保障了產(chǎn)品的可靠性，大幅度延長使用壽命。
（3）低功耗。GD25E/LE系列提供業(yè)界領(lǐng)先的低功耗參數(shù)，大大延長了電池供電應(yīng)用的待機(jī)時(shí)間。
（4）小封裝。公司產(chǎn)品采用WLCSP封裝，有效縮減芯片的體積和重量，滿足市場日益增大的可穿戴電子產(chǎn)品對(duì)“輕、薄、小”的追求；公司還成功推出1.5×1.5mm的業(yè)界最小USON封裝。
（5）在汽車應(yīng)用上，公司GD25 SPI NOR Flash全面滿足車規(guī)級(jí)AEC-Q100認(rèn)證，近期GD55的2G大容量產(chǎn)品也通過了該認(rèn)證。公司SPI NOR Flash車規(guī)級(jí)產(chǎn)品2Mb~2Gb容量已全線鋪齊，為市場提供全國產(chǎn)化車規(guī)級(jí)閃存產(chǎn)品。目前Nor Flash行業(yè)主流工藝節(jié)點(diǎn)為55nm2，公司產(chǎn)品工藝處于行業(yè)內(nèi)主流技術(shù)水平，55nm工藝節(jié)點(diǎn)全系列產(chǎn)品均已量產(chǎn)，和65nm工藝節(jié)點(diǎn)一起成為公司的主要工藝節(jié)點(diǎn)。

在NAND Flash產(chǎn)品方面，目前SLC Nand主流工藝結(jié)點(diǎn)在19-38nm，公司成熟工藝節(jié)點(diǎn)為38nm，24nm工藝節(jié)點(diǎn)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，目前正在向19nm工藝節(jié)點(diǎn)推進(jìn)，產(chǎn)品覆蓋從1Gb至8Gb主流容量，電壓涵蓋 1.8V和3.3V，提供傳統(tǒng)并行接口和新型SPI接口兩個(gè)產(chǎn)品系列。

公司第一顆自有品牌的DRAM產(chǎn)品（19nm，4Gb）已于2021年6月量產(chǎn)，主要面向利基市場。公司規(guī)劃中的DRAM產(chǎn)品包括DDR3、DDR4、LPDDR4，制程在1Xnm級(jí)（19nm、17nm），容量在1Gb~8Gb。

目前17nm DDR3產(chǎn)品正在積極研發(fā)中。在利基市場，公司DRAM產(chǎn)品在工藝制程上保持代差優(yōu)勢，有利于降低產(chǎn)品成本。公司與長鑫存儲(chǔ)的緊密合作關(guān)系，為公司DRAM產(chǎn)品提供穩(wěn)定產(chǎn)能保障。同時(shí)，依托于多年積累的、完善的銷售網(wǎng)絡(luò)和技術(shù)團(tuán)隊(duì)，公司能夠?yàn)榭蛻籼峁┛焖俚谋镜鼗⻊?wù)響應(yīng)和技術(shù)支持。

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