【產(chǎn)通社，12月2日訊】Diodes公司（NASDAQ股票代碼：DIOD）官網(wǎng)消息，其為金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（MOSFET）推出節(jié)省空間、高熱效率的TOLL（PowerDI 1012-8）封裝，能在175°C、100瓦等級(jí)的DMTH10H1M7STLWQ及DMTH10H2M5STLWQ下運(yùn)作。另外，80瓦等級(jí)的 DMTH8001STLWQ金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（MOSFET）比TO263占據(jù)的PCB面積少了20%。產(chǎn)品的特色是剖面外的模板只有2.4毫米厚。這特色讓產(chǎn)品成為高可靠性電力產(chǎn)品應(yīng)用的最佳選擇，像是能量熱回收、積體啟動(dòng)交流發(fā)電機(jī)以及電動(dòng)汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器。


產(chǎn)品特點(diǎn)


TOLL封裝采條帶鍵合封裝以達(dá)低封裝電阻及較低的寄生電感，使得DMTH8001STLWQ、DMTH10H1M7STLWQ和DMTH10H2M5STLWQ能夠在10W閘極驅(qū)動(dòng)器下產(chǎn)生1.3mΩ、1.4mΩ和1.68mΩ的典型寄通電阻。此外，低寄生電感能改善EMI電路的表現(xiàn)。

由于焊接面積比TO263高出百分之五十，TOLL封裝能使接面的熱阻抗達(dá)0.65°C/W，MOSFET可處理高達(dá)270A的電流。鍍錫的梯形凹槽鉛錠有助于自動(dòng)光學(xué)檢測(cè)（AOI）流程。金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（MOSFET）皆符合AEC-Q101等級(jí)規(guī)范，由IATF 16949認(rèn)證的設(shè)施制造，并支持 PPAP 文件。


供貨與報(bào)價(jià)


查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.diodes.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）