【產(chǎn)通社，2月16日訊】意法半導(dǎo)體（STMicroelectronics；NYSE股票代碼：STM）官網(wǎng)消息，其新推出兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器在高壓電力變換和工業(yè)應(yīng)用中節(jié)省空間，簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì)。


產(chǎn)品特點(diǎn)


IGBT驅(qū)動(dòng)器STGAP2HD和SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)器STGAP2SICD利用意法半導(dǎo)體最新的電隔離技術(shù)，采用SO-36W寬體封裝，能夠耐受6kV瞬變電壓。此外，±100V/ns dv/dt瞬變耐量可防止在高電噪聲工況下發(fā)生雜散導(dǎo)通現(xiàn)象。這兩款驅(qū)動(dòng)器都提供最高4A的柵極控制信號(hào)，雙輸出引腳為柵極驅(qū)動(dòng)帶來(lái)更多靈活性，支持開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間單獨(dú)調(diào)整。有源米勒鉗位功能可防止柵極在半橋拓?fù)淇焖贀Q向過(guò)程中出現(xiàn)尖峰電壓。

電路保護(hù)功能包括過(guò)熱保護(hù)、安全操作看門(mén)狗，每個(gè)通道都有欠壓鎖定(UVLO)機(jī)制，防止驅(qū)動(dòng)器在危險(xiǎn)的低效模式下啟動(dòng)。按照SiC MOSFET的技術(shù)要求，STGAP2SICD提高了UVLO的閾值電壓，以優(yōu)化晶體管的能效。

每款器件都有一個(gè)在雙低邊不對(duì)稱半橋應(yīng)用中同時(shí)開(kāi)通兩個(gè)通道的iLOCK引腳和防止在傳統(tǒng)的半橋電路中出現(xiàn)直通電流的互鎖保護(hù)機(jī)制。這兩款驅(qū)動(dòng)器在高壓軌上的額定電壓都達(dá)到1200V，輸入到輸出傳播時(shí)間為75ns，PWM控制精度很高。

意法半導(dǎo)體的新雙通道電流隔離柵極驅(qū)動(dòng)器具有專用的關(guān)斷引腳和制動(dòng)引腳，以及待機(jī)省電引腳，目標(biāo)應(yīng)用包括電源、電機(jī)、變頻器、焊機(jī)和充電器。此外，輸入引腳兼容最低3.3V的TTL和CMOS邏輯信號(hào)，以簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)器與主微控制器或DSP處理器的連接。


供貨與報(bào)價(jià)


STGAP2HD和STGAP2SICD現(xiàn)已投產(chǎn)。EVALSTGAP2HDM和EVALSTGAP2SICD演示板也已上市，用于快速評(píng)估驅(qū)動(dòng)器在驅(qū)動(dòng)半橋功率級(jí)時(shí)的驅(qū)動(dòng)特性。查詢進(jìn)一步信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)官方網(wǎng)站http://www.st.com/stdrive。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）