【產(chǎn)通社，4月6日訊】東芝電子元件及存儲裝置株式會社（Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation）官網(wǎng)消息，其150V N溝道功率MOSFET---TPH9R00CQH器件采用最新一代U-MOSX-H工藝，適用于工業(yè)設備開關(guān)電源，其中包括數(shù)據(jù)中心電源和通信基站電源。


產(chǎn)品特點


與使用當前一代“U-MOSⅧ-H”工藝的150V產(chǎn)品TPH1500CNH相比，TPH9R00CQH的漏源導通電阻下降約42%。對新型MOSFET的結(jié)構(gòu)優(yōu)化促進實現(xiàn)源漏導通電阻和兩項電荷特性之間的平衡，從而實現(xiàn)了優(yōu)異的低損耗特性。此外，開關(guān)操作時漏極和源極之間的尖峰電壓降低，有助于減少開關(guān)電源的電磁干擾（EMI）。該產(chǎn)品提供SOP Advance和更為廣泛采用的SOP Advance（N）這兩種類型的表面貼裝封裝。

與此同時，東芝還提供各類工具，為開關(guān)電源的電路設計提供支持。除了能快速驗證電路功能的G0 SPICE模型，現(xiàn)在還提供能精確再現(xiàn)瞬態(tài)特性的高精度G2 SPICE模型。

500CNH（U-MOSⅧ-H系列）相比，該產(chǎn)品將漏源導通電阻×柵開關(guān)電荷提高了大約20%，漏源導通電阻×輸出電荷提高了大約28%。主要特點包括：
- 優(yōu)異的低損耗特性；
-（在導通電阻和柵開關(guān)電荷及輸出電荷間取得平衡）；
- 卓越的導通電阻：RDS(ON)＝9.0mΩ（最大值）@VGS＝10V；
- 高額定結(jié)溫：Tch（最大值）＝175°C。


供貨與報價


該產(chǎn)品于今日開始支持批量出貨。查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/top.html。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）