【產(chǎn)通社，4月16日訊】上海芯導電子科技有限公司（Shanghai Prisemi Electronics；股票代碼：688230）2021年年度報告顯示，其報告期內(nèi)半導體行業(yè)景氣度上行，積極拓展相關(guān)領(lǐng)域，通過不斷研發(fā)創(chuàng)新和市場開拓，MOSFET產(chǎn)品營業(yè)收入同比增長81.99%，功率IC產(chǎn)品營業(yè)收入同比增長62.29%。隨著毛利率水平較高的MOSFET及功率IC產(chǎn)品銷售收入占比的上升，公司產(chǎn)品綜合毛利率隨之上升。

報告期內(nèi)，公司根據(jù)市場發(fā)展趨勢、下游客戶需求有計劃、有步驟地進行技術(shù)開發(fā)和創(chuàng)新，擴展現(xiàn)有產(chǎn)品系列、加強對現(xiàn)有產(chǎn)品的更新迭代，保證公司產(chǎn)品的競爭優(yōu)勢和可持續(xù)發(fā)展；公司作為專精特新“小巨人”企業(yè)和重點集成電路設計企業(yè)，一直堅持以自主技術(shù)創(chuàng)新為基礎(chǔ)，堅持技術(shù)領(lǐng)先戰(zhàn)略，增強公司的研發(fā)儲備。

在TVS產(chǎn)品方面，超低容值（<0.2pF）的ESD保護器件已經(jīng)在客戶端實現(xiàn)批量出貨，超低容值保證了高速信號傳輸?shù)耐暾�，可以滿足5G高速信號傳輸線的保護應用；同時，深回退特性、超小封裝的ESD保護器件開發(fā)成功，目前已經(jīng)進入大規(guī)模推廣中。

近年來，在消費類電子市場，尤其是手機、平板電腦、TWS等智能便攜式、可穿戴式產(chǎn)品領(lǐng)域，為提高續(xù)航能力，降低電子元器件的損耗，芯片的工作電壓不斷地降低，這也使芯片變得極為敏感，極易被損壞。而深回退特性的ESD產(chǎn)品具有極低的鉗位電壓，同時還具有較強的電流泄放能力，提供了最佳保護解決方案，也使芯片朝向更低損耗、更低工作電壓方向發(fā)展變得可行。

在MOSFET產(chǎn)品方面，具有超低導通電阻、低開關(guān)損耗以及快速反向恢復功能的MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)開發(fā)成功，并通過終端客戶的驗證，目前已經(jīng)實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)；同時，具有超低導通阻抗和超低柵極電荷的MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)完成立項，并已經(jīng)開展研發(fā)工作。公司的MOSFET產(chǎn)品在手機、平板電腦、TWS、PD快充、筆記本電腦、電動工具、BMS、電機控制等領(lǐng)域都有極為廣泛的應用，可以提供更低的損耗，及更高的開關(guān)頻率。

在肖特基產(chǎn)品方面，一種優(yōu)化的低正向壓降溝槽MOS結(jié)構(gòu)肖特基二極管項目，目前部分產(chǎn)品已經(jīng)研發(fā)成功，并在多個客戶進行驗證。該產(chǎn)品不但降低了損耗，還增大了可持續(xù)導通電流，同時具有超小的尺寸，應用極為廣泛。

在第三代半導體GaN產(chǎn)品方面，第三代半導體650V GaN HEMT項目，目前多個產(chǎn)品已經(jīng)研發(fā)成功，并在多個客戶端進行驗證。GaN產(chǎn)品具有高功率密度、高速度、高效率的功率等特點，在擊穿電場、本征載流子濃度、抗輻照能力方面都明顯優(yōu)于Si、GaAs等傳統(tǒng)半導體材料，因此在快充電源、5G通訊、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣泛的應用前景。

查詢進一步信息，請訪問官方網(wǎng)站http://www.prisemi.com。（張怡，產(chǎn)通發(fā)布）    （完）