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南麟電子獲基于肖特基MOSFET的單片集成式光電耦合器及制備方法發(fā)明專利

2022/9/14 8:59:37

【產(chǎn)通社，9月14日訊】上海南麟電子股份有限公司（Shanghai Natlinear Electronics；NEEQ股票代碼：831394）消息，其2022年9月9日收到中華人民共和國家知識產(chǎn)權(quán)局頒發(fā)的《基于肖特基MOSFET的單片集成式光電耦合器及制備方法》發(fā)明專利證書（證書號第5444918號），發(fā)明人劉桂芝、馬丙乾，專利號ZL202210700978.3。

查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站

http://www.natlinear.com。（Donna Zhang，張底剪報(bào)）（完）

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