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意法半導體STPOWER電源模塊內置1200V MOSFET簡化SiC逆變器設計
2022/9/14 9:00:10     

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【產通社,9月14日訊】意法半導體(STMicroelectronics;NYSE股票代碼:STM)官網消息,其發(fā)布了兩款采用主流配置的內置1200V碳化硅(SiC)MOSFET的STPOWER電源模塊。兩款模塊都采用意法半導體的ACEPACK 2封裝技術,功率密度高,安裝簡便。


產品特點


第一款模塊A2F12M12W2-F1是一個四組模塊,可為DC/DC轉換器等電路提供方便緊湊的全橋功率變換解決方案。

第二款模塊A2U12M12W2-F2采用三電平T型逆變拓撲,導通能效和開關能效均很出色,輸出電壓質量穩(wěn)定。

這兩款模塊中的MOSFET采用意法半導體的第二代SiC技術,RDS(on) x芯片面積品質因數(shù)非常出色,確保開關可以處理高電流,把功率損耗降至很低。每款芯片的典型導通電阻RDS(on)都是13mΩ,全橋拓撲和T型拓撲兩款模塊均可用于設計高功率應用,而低熱耗散確保應用能效出色,熱管理設計簡單。

ACEPACK 2封裝尺寸緊湊,功率密度高,采用高效氧化鋁基板和直接覆銅(DBC)芯片貼裝技術。外部連接是壓接引腳,方便在潛在的惡劣環(huán)境中安裝,例如,電動汽車(EV)及充電樁、儲能和太陽能的功率轉換等場景。該封裝的絕緣耐壓是2.5kVrms,內置一個NTC溫度傳感器,可用于系統(tǒng)保護診斷功能。


供貨與報價


兩款模塊現(xiàn)已投產。查詢進一步信息,請訪問官方網站http://www.st.com/acepack-1-and-2。(張怡,產通發(fā)布)    (完)
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