【產(chǎn)通社，6月10日訊】德州儀器(TI)消息，其NexFET功率模塊可在25A電流下實(shí)現(xiàn)超過90%高效率的同步MOSFET半橋，其占位面積僅為同類競爭功率MOSFET器件的50%。CSD86350Q5D功率模塊通過高級封裝將2個非對稱NexFET功率MOSFET進(jìn)行完美整合，可為服務(wù)器、臺式機(jī)與筆記本電腦、基站、交換機(jī)、路由器以及高電流負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器等低電壓同步降壓半橋應(yīng)用實(shí)現(xiàn)高性能。

產(chǎn)品特點(diǎn)

NexFET功率模塊除提高效率與功率密度外，還能夠以高達(dá)1.5MHz的開關(guān)頻率生成高達(dá)40A的電流，可顯著降低解決方案尺寸與成本。優(yōu)化的引腳布局與接地引線框架可顯著縮短開發(fā)時間，改善整體電路性能。此外，NexFET功率模塊還能夠以低成本方式實(shí)現(xiàn)與GaN等其他半導(dǎo)體技術(shù)相當(dāng)?shù)男阅堋?/P>

CSD86350Q5D功率模塊的主要特性與優(yōu)勢：
- 5 x 6毫米SON外形僅為兩個采用5 x 6毫米QFN封裝的分立式MOSFET器件的50%；
- 可在25A的工作電流下實(shí)現(xiàn)超過90%的電源效率，與同類競爭器件相比，效率高2%，功率損耗低20%；
- 與同類解決方案相比，無需增加功率損耗便可將頻率提高2倍；
- 底部采用裸露接地焊盤的SON封裝可簡化布局。

 
供貨與報價

NexFET功率模塊器件采用5 x 6毫米SON封裝，現(xiàn)已開始批量供貨，樣片與評估板也已同步開始提供。查詢進(jìn)一步信息，請訪問http://www.ti.com.cn/powerblock-prcn。