德州儀器(TI)日前發(fā)布了45納米(nm)半導(dǎo)體制造工藝的細節(jié)，該工藝采用濕法光刻技術(shù)，可使每個硅片的芯片產(chǎn)出數(shù)量提高一倍，從而提高了工藝性能并降低了功耗。通過采用多種專有技術(shù)，TI將集成數(shù)百萬晶體管的片上系統(tǒng)處理器的功能提升到新的水平，使性能提高30%，并同時降低40%的功耗。

    TI高級副總裁兼首席技術(shù)官Hans Stork博士指出：“例如在手機處理器與DSP系統(tǒng)方面，TI憑借在芯片制造領(lǐng)域的實力將推出45納米的低成本工藝技術(shù)，并同時兼顧了性能、功耗及晶體管密度等方面的問題。這使客戶能盡早推出速度更快、體積更小、功耗更低的產(chǎn)品，TI不斷通過高良率晶圓推出數(shù)百萬芯片，在業(yè)界始終處于領(lǐng)先地位�！�

    TI預(yù)計，45納米工藝與SoC集成功能將使消費者體驗高達30%的設(shè)備速度提升，這意味著每秒更多視頻幀，從而實現(xiàn)更佳的移動電話用戶體驗。此外，無線用戶將可以享受到同時運行多個應(yīng)用的好處，如運行3D游戲的同時與游戲伙伴們進行視頻交流，還可以在后臺收發(fā)電子郵件。其它預(yù)測顯示，TI 45納米SoC將使功耗降低40% ，從而獲得更長的視頻播放時間，并把手機待機時間延長高達30%。

顯著降低功耗，提高集成度

    隨著通信與計算功能在移動設(shè)備上實現(xiàn)了融合，以及高性能多媒體、游戲與辦公應(yīng)用的不斷普及，降低功耗成為半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展應(yīng)首先解決的問題。

    為了解決上述電源管理挑戰(zhàn)，TI在45納米工藝中采用了SmartReflex電源與性能管理技術(shù)，將智能化的自適應(yīng)硅芯片、電路設(shè)計以及有關(guān)軟件結(jié)合在一起。在SmartReflex技術(shù)的基礎(chǔ)之上，TI采用系統(tǒng)級技術(shù)以擴展整個45納米SoC設(shè)計的功能，其中包括自適應(yīng)軟硬件技術(shù)，該技術(shù)能夠根據(jù)設(shè)備的工作狀態(tài)、工作模式與過程以及溫度變化情況，動態(tài)地控制電壓、頻率與功耗。

    全新工藝還支持具有革命性突破的DRP架構(gòu)，以便于TI在單芯片無線解決方案上集成數(shù)字RF功能。這種SoC技術(shù)可實現(xiàn)無線傳輸與接收功能，這使TI能夠通過其高效率的CMOS制造基礎(chǔ)來降低整體系統(tǒng)成本與功耗，釋放板級空間。TI 45納米設(shè)計庫還包括其它集成選項，如電阻器、感應(yīng)器與電容器等多種模擬組件，從而使原先獨立的功能實現(xiàn)了進一步的SoC集成。

先進技術(shù)提高性能與密度

    TI率先采用193納米濕浸式光刻技術(shù)，實現(xiàn)了競爭對手的45納米干式光刻技術(shù)所難以企及的高密度。193納米濕浸式設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)更高的解析度與更小的器件體積，從而為面向新工藝的升級提供了最大的特性優(yōu)勢。193 納米濕浸式設(shè)備的工作原理是在透鏡與晶圓間加入薄薄的液體層，以簡化更精細尺寸電路的曝光工藝。

    TI在該領(lǐng)域的成就推動了45納米SRAM存儲單元的開發(fā)工作，這被認為是目前最小的存儲單元，面積僅為0.24平方微米，比此前推出的其它45納米存儲單元器件還縮小了至少30% 。存儲單元常常是全新制造技術(shù)的前期推動力，并可提供有關(guān)整個SoC上晶體管密度的寶貴數(shù)據(jù)。

    TI 45納米工藝的其它技術(shù)進步，還包括芯片能夠支持的晶體管數(shù)量顯著提高，這要歸功于超低k介電層的采用，其k值僅為2.5，從而使互聯(lián)電容減少了10%。這將是TI通過低k介電層來實現(xiàn)眾多優(yōu)異特性的第三代工藝技術(shù)，該技術(shù)不僅可減少電容數(shù)量，縮短器件互聯(lián)層內(nèi)傳輸延遲時間，而且提高了芯片性能。

最大化設(shè)計靈活性，實現(xiàn)性能優(yōu)化

    與前代工藝技術(shù)一樣，TI將提供多套45納米解決方案，這些解決方案均針對不同最終產(chǎn)品或應(yīng)用的要求而專門進行了優(yōu)化。通過調(diào)節(jié)晶體管的柵極長度、閾值電壓、柵極介電層厚度或偏置條件等方法，電路設(shè)計人員可通過多種途徑，創(chuàng)建靈活的優(yōu)化設(shè)計方案。

   TI低功耗45納米技術(shù)可在延長便攜式產(chǎn)品電池使用壽命的同時，為高集成度設(shè)計的高級多媒體處理功能提供所需的高性能。中端工藝技術(shù)將支持TI DSP與TI高性能ASIC庫，以滿足通信基礎(chǔ)局端產(chǎn)品的需要。TI 45納米工藝的最高性能版本支持MPU級性能。

    一系列應(yīng)變技術(shù)將提高晶體管性能，并盡可能減少三種工藝版本的泄漏電流，這些技術(shù)包括TI首次在其應(yīng)變應(yīng)用中采用的硅鍺技術(shù)。

    最后，TI正在考慮在45納米技術(shù)發(fā)展過程中采用雙功函數(shù)金屬柵（dual work function metal gate），從而以較低的成本提高性能。其它可供選擇的方法還包括采用完全硅化的多晶硅(FuSI)技術(shù)，或結(jié)合使用金屬與硅化物。TI目前正在探索可實現(xiàn)最高性能的工藝技術(shù)，TI認為，繼續(xù)使用業(yè)經(jīng)驗證的氮化硅介電層與金屬柵極技術(shù)，可在不采用更先進的新型高k 材料的情況下實現(xiàn)必需的功耗控制。

    TI 位于得克薩斯州達拉斯的DMOS6工廠將在其300毫米晶圓生產(chǎn)中導(dǎo)入45納米工藝。低功耗ASIC設(shè)計庫將于今年年底上市，首款SoC產(chǎn)品樣片將于2007年推出，首批量產(chǎn)時間定于2008年年中。