【產(chǎn)通社，8月11日訊】IDT公司 (Integrated Device Technology；NASDAQ: IDTI) 消息，其F1102低頻段RF混頻器可通過在擁擠頻譜中為4G LTE、3G和2G系統(tǒng)減少互調(diào)失真增強(qiáng)用戶的移動連接體驗(yàn)。新的Zero-Distortion基站收發(fā)信機(jī)（BTS）多樣混頻器可通過減少功耗改進(jìn)系統(tǒng)三階互調(diào)失真（IM3），針對移動通信（EGSM）頻率范圍涵蓋450MHz、長期演進(jìn)（LTE）和擴(kuò)展的全球系統(tǒng)。

IDT公司副總裁兼通信部總經(jīng)理Tom Sparkman表示：“在發(fā)現(xiàn)我們高頻段和低頻段混頻器優(yōu)異的性能之后，客戶開始需要這款產(chǎn)品。我們的零失真技術(shù)可幫助客戶增加射頻卡的前端增益以改進(jìn)SNR，同時在擁擠的EGSM和.S.蜂窩頻段中減少失真。憑借我們廣泛的高性能、低功耗可變增益放大器（VGA）產(chǎn)品組合，業(yè)界領(lǐng)先的計(jì)時、串行交換、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換和數(shù)據(jù)壓縮產(chǎn)品，IDT成為通信信號鏈解決方案的一站式提供商�！�

產(chǎn)品特點(diǎn)

IDT F1102是一款低功耗、低失真的雙通道400-1000MHz RF變頻到IF混頻器，與標(biāo)準(zhǔn)混頻器相比，可改進(jìn)IM3超過15dB，同時減少功耗超過40%。這些性能品質(zhì)可為改進(jìn)服務(wù)品質(zhì)（QoS）實(shí)現(xiàn)更好的信噪比（SNR），同時減少散熱，從而在密集的射頻卡密封中降低散熱要求（5V時1.15W，高達(dá)+43dBm IP3O）。F1102可提供無與倫比的性能與效率，是多載波、多模式4G LTE和EGSM BTS系統(tǒng)的理想選擇。

F1102與IDT其他混頻器產(chǎn)品系列一起，可在上電與下電模式下提供快速的建立時間和恒定的本機(jī)振蕩器（LO）輸入阻抗。這允許客戶在時分雙工（TDD）接收機(jī)插槽間關(guān)閉混頻器，從而進(jìn)一步降低功耗。此外，IDTF1102可支持高本振或低本振注入方式，與市場上現(xiàn)有器件管腳相容，從而提供令人信服的升級選擇。

供貨與報價

IDT F1102目前正向合格客戶提供樣品，提供6×6毫米36引腳QFN封裝。查詢進(jìn)一步信息，請?jiān)L問官方網(wǎng)站http://www.idt.com/go/RF。